消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，包括：步骤1选取厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta（钽）片；步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。该方法有效的降低了生长升华过程中气相组分对反应系统石墨内壁的腐蚀。本发明专利技术还公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅生长
，特别是一种消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，及其装置。
技术介绍
以第三代半导体中技术最为成熟的就是SiC(碳化硅XSiC作为间接带隙半导体，其特点主要有带隙宽、热导率高、击穿强度高、化学性能好、抗辐射能力强等，在半导体应用领域具有非常明显的优势。目前生长大直径碳化硅单晶的主流方法是物理气相输运法(PVT法)。典型的生长结构组成包括坩祸和坩祸盖两大部分，生长机理是将SiC粉源放置在坩祸中，籽晶固定在粉源上部盖子上，进行生长。PVT法SiC单晶生长的基本过程分别为:原料分解升华、质量传输和在籽晶上结晶。在原料的分解传输过程中主要驱动力来自原料间的温度梯度。在原料分解到凝结过程中气相组分主要为Si，Si2C和SiC2因为在生长温度下Si组分的饱和分压较大，造成Si气氛占据组分比例较大，该组分在传输过程中与石墨坩祸侧壁进行反应如下:Si(g)+C(s) = SiC(g)2Si(g)+C(s) = Si2C(g)Si(g)+2C(s) = SiC2(g) 石墨坩祸中C元素参与反应，造成坩祸内表面出现缺失、腐蚀。本专利技术提供了一种阻断本文档来自技高网...

【技术保护点】
消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1选取厚度在0.1‑1mm范围内的石墨纸或Ta片；步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张云伟，韩金波，靳丽婕，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11