【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种碳化硅单晶生长用坩祸结构。
技术介绍
碳化硅单晶作为第三代半导体材料，相对于传统半导体如硅、砷化镓有非常优异的物理、化学性能。广泛应用于高压、高频、大功率领域。碳化硅单晶生长主要的生长方法为物理气相沉积法(PVT)，在2000°C以上的高温下低压生长，技术难度非常大，所以其产品价格也很高。高纯碳化硅原料作为碳化硅单晶生长中的重要原材料价格也非常高。提高原料的利用率可以有效的降低产品的成本，传统的坩祸结构的原料利用率一般在30%左右。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，专利技术人发现碳化硅晶体生长时原料的坩祸内温度分布为外高内低，所以中间部分的原料是不蒸发的，而且反而会沉积一部分蒸发的原料，是导致原料利用率低的主要原因。本专利技术的目的在于提供一种能够提高原料利用率的碳化硅单晶生长用坩祸结构。为实现上述目的本专利技术一种碳化硅单晶生长用坩祸结构，包括:坩祸本体，所述坩祸本体的内腔底部中心设置有凸起的祸底凸台，所述祸底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。进一步，所述祸底凸台由石墨材料制成。进一步，所述祸底凸台为圆柱形或锥台形。进一步，所述祸底...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙远，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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