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本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。本发明能够提高原料的利用率、有效的降低产品的成本。...
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