本发明专利技术公开了一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的软性石墨毡复合而成。本发明专利技术的不同之处在于碳化硅晶体生长时保温结构采用内层用固态石墨毡，外层用软性石墨毡的复合保温结构，利用固态石墨毡的良好的强度和加工尺寸公差小的优点保证热场的重复性；利用软性石墨毡外部用发热量小的优点降低功耗和保温外表面的温度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种碳化硅单晶生长用复合保温结构。
技术介绍
碳化硅单晶作为第三代半导体材料，相对于传统半导体如硅、砷化镓有非常优异的物理、化学性能。广泛应用于高压、高频、大功率领域。碳化硅单晶生长主要的生长方法为物理气相沉积法(PVT)，在2000°C以上的高温下低压生长，技术难度非常大。碳化硅晶体生长常用的保温材料有两种，一是软性石墨毡，二是固态石墨毡，两者各有优缺点。软性石墨毡做保温优点是在感应磁场中发热量很小，缺点是保温的强度底、加工几何尺寸公差大，而固态石墨毡与其相反，优点是强度高，加工几何尺寸公差小，缺点是感应磁场中形成涡流发热。加工几何公差大，对温场的重复性有很大的影响，二保温的涡流发热会提高能量损失，也提高了保温表面的温度，对晶体炉制作也提高了要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅单晶生长用复合保温结构。为实现上述目的本专利技术一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩祸外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。进一步，所述固态石墨毡为短纤维固态石墨毡或长纤维固态石墨毡。进一步，所述软性石墨毡为粘胶基软性石墨毡、沥青基软性石墨毡或聚丙烯晴基软性石墨毡。进一步，所述软性石墨租的厚度为l-100mm。进一步，所述固态石墨租的厚度为l-100mm。进一步，所述软性石墨毡为一层或多层。进一步，所述固态石墨毡为一整体结构或多个部分组合而成。进一步，所述固态石墨毡上开断涡流用的槽。本专利技术的不同之处在于碳化硅晶体生长时保温结构采用内层用固态石墨毡，外层用软性石墨毡的复合保温结构，利用固态石墨毡的良好的强度和加工尺寸公差小的优点保证热场的重复性;利用软性石墨毡外部用发热量小的优点降低功耗和保温外表面的温度。【附图说明】图1为本专利技术碳化硅单晶生长用复合保温结构的示意图；其中，I软性石墨毡、2石墨坩祸、3碳化硅原料、4固态石墨毡、5晶体、6线圈。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细说明。本专利技术的碳化硅单晶生长用复合保温结构包覆在用于碳化硅单晶生长的石墨坩祸2外侧，晶体5固定在石墨坩祸2内侧的顶壁上，碳化硅原料3放置在石墨坩祸2内，先在石墨坩祸2外侧设置固态石墨毡4，再在固态石墨毡4的外侧设置软性石墨毡I，由线圈6对石墨坩祸2进行加热。其中，固态石墨毡4为短纤维固态石墨毡或长纤维固态石墨毡，但不限于这两种材料，其厚度为1-lOOmm，可以是一各整体结构或由多个部分组合而成，还可以在固态石墨毡4上开断涡流用的槽，也可以不开。软性石墨毡I为粘胶基软性石墨毡、沥青基软性石墨毡或聚丙烯晴基软性石墨毡，其厚度为1-100_，可以设置一层，也可以设置多层。下面选取两组实验数据进行说明本专利技术的效果。实例I 条件1:用IlOmm的i甘祸，只用固态石墨租的保温结构，厚度为50_。加工误差〈1_、晶体生长功率为10.lkw、线圈冷却水的温升为12°C。条件2:用I 1mm的坩祸，只用软性保温毡的保温结构，厚度为50mm。加工误差<8mm、晶体生长功率为7.2kw、线圈冷却水的温升为5° Co条件3:用11Omm的i甘祸，内层用40mm固态石墨租、夕卜层用1mm软性石墨租的复合保温结构。内层加工误差〈1_，整体加工误差为〈1.5_、晶体生长功率为8.5kw、线圈冷却水的温升为8° C。实例2 条件1:用IlOmm的i甘祸，只用固态石墨租的保温结构，厚度为50_。加工误差〈1_、晶体生长功率为10.lkw、线圈冷却水的温升为12°C。条件2:用IlOmm的坩祸，只用软性保温毡的保温结构，厚度为50mm。加工误差<8mm、晶体生长功率为7.2kw、线圈冷却水的温升为5° Co条件3:用11Omm的i甘祸，内层用30mm固态石墨租、夕卜层用20mm软性石墨租的复合保温结构。内层加工误差〈1_，整体加工误差为〈3_、晶体生长功率为7.7kw、线圈冷却水的温升为6° C。上述示例只是用于说明本专利技术，本专利技术的实施方式并不限于这些示例，本领域技术人员所做出的符合本专利技术思想的各种【具体实施方式】都在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩祸外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。2.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述固态石墨毡为短纤维固态石墨毡或长纤维固态石墨毡。3.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述软性石墨毡为粘胶基软性石墨毡、沥青基软性石墨毡或聚丙烯晴基软性石墨毡。4.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述软性石墨毡的厚度为l-100mm。5.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述固态石墨毡的厚度为l-100mm。6.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述软性石墨毡为一层或多层。7.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述固态石墨毡为一整体结构或多个部分组合而成。8.如权利要求1所述的碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，所述固态石墨毡上开断涡流用的槽。【专利摘要】本专利技术公开了一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的软性石墨毡复合而成。本专利技术的不同之处在于碳化硅晶体生长时保温结构采用内层用固态石墨毡，外层用软性石墨毡的复合保温结构，利用固态石墨毡的良好的强度和加工尺寸公差小的优点保证热场的重复性；利用软性石墨毡外部用发热量小的优点降低功耗和保温外表面的温度。【IPC分类】C30B23/00, C30B29/36【公开号】CN105543966【申请号】CN201610071881【专利技术人】李龙远 【申请人】北京华进创威电子有限公司【公开日】2016年5月4日【申请日】2016年2月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙远，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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