【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种碳化硅单晶生长用复合保温结构。
技术介绍
碳化硅单晶作为第三代半导体材料，相对于传统半导体如硅、砷化镓有非常优异的物理、化学性能。广泛应用于高压、高频、大功率领域。碳化硅单晶生长主要的生长方法为物理气相沉积法(PVT)，在2000°C以上的高温下低压生长，技术难度非常大。碳化硅晶体生长常用的保温材料有两种，一是软性石墨毡，二是固态石墨毡，两者各有优缺点。软性石墨毡做保温优点是在感应磁场中发热量很小，缺点是保温的强度底、加工几何尺寸公差大，而固态石墨毡与其相反，优点是强度高，加工几何尺寸公差小，缺点是感应磁场中形成涡流发热。加工几何公差大，对温场的重复性有很大的影响，二保温的涡流发热会提高能量损失，也提高了保温表面的温度，对晶体炉制作也提高了要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅单晶生长用复合保温结构。为实现上述目的本专利技术一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩祸外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。进一步，所述固态石墨毡为短纤维固态石墨毡或...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，其特征在于，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的的软性石墨毡复合而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙远，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。