【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石墨烯生长エ艺本专利技术大体上涉及用于在碳化硅基材上生长石墨烯的エ艺。更特别地，本专利技术涉及用于通过使硅从碳化硅表面升华的石墨烯生长的エ艺。背景石墨烯是以六边形苯环结构排列的单层Sp2结合的碳原子且因此基本上是ニ维的。迟至2003，已经发现其存在于普通石墨中。石墨烯沿着结构的C-轴经由弱范德华カ堆叠在石墨中。强的共价平面内结合力和弱的平面间结合力确定石墨的各向异性性质。石墨烯存在于石墨中已经由通过简单的透明胶带技术从石墨中剥离石墨烯片证明了。石墨烯近来已经吸引了相当多的关注，这是由于其独特的性质，例如非常高的电子迁移率和高效的散热，使得其尤其对于微电子エ业来说是令人感兴趣的。在持续需要使电子部件微型化和产生更高效的电子部件中，其被认为是硅的潜在接替者。石墨烯可以经由通过硅原子从碳化硅表面分解或升华的固态石墨化来产生。在该エ艺期间，硅作为蒸气离开表面，而碳原子作为残留物留在碳化硅表面上。在任意エ艺条件下，表面上的碳的品质通常等效于无定形石墨，且这样的表面因此常常被称为石墨化的。然而，当适当选择エ艺条件时，可以在表面上形成所期望的碳原子的有序蜂窝结构。认为石墨化在约1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.16 SE 1050966-91.关于在碳化硅基材上通过使硅从所述碳化硅基材表面升华的石墨烯生长的エ艺，所述エ艺包括将碳化硅基材定位在坩锅中和将所述坩锅布置在反应室中，控制压力并加热至生长温度，在1400°C以上的温度下和在600和1100巴之间的惰性气体压力下在所述基材的表面上生长石墨烯，其中所述加热在至少第一加热阶段和第二加热阶段中进行，所述第一加热阶段以第一加热速率进行，直至至少1200°C的温度，且所述第二加热阶段在所述第一加热阶段之后且以第二加热速率进行，所述第二加热速率比所述第一加热速率快。2.根据权利要求1所述的エ艺，其中所述第一加热速率是20-30°C/min，优选地20-25 °C /min o3.根据权利要求1或2中任一项所述的エ艺，其中所述第二加热速率是25-35°C/min,优选地 28-32°C /min。4.根据前述权利要求中任一项所述的エ艺，其中所述加热还包括在所述第二加热阶段之后的第三加热阶段，所述第三加热阶段以第三加热速率进行，所述第三加热速率比所述第二加热速率快。5.根据权利要求4所述的エ艺，...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗西塔·雅基莫娃，蒂霍米尔·雅基莫夫，米克尔·叙韦耶尔维，
申请(专利权)人：格拉芬斯克公司，
类型：
国别省市：
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