本发明专利技术涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明专利技术在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于真空电子学二次电子发射抑制
技术介绍
二次电子发射是指当具有一定能量的初次电子入射到样品表面时，会从样品表面激发出二次电子的现象。二次电子个数与初次电子个数之比称之为二次电子发射系数，数值上意味着平均单个入射电子能产生的二次电子数目。二次电子发射的情况取决于多种因素，如材料的原子序数、晶格结构、表面形貌以及入射电子的能量、角度等因素。在真空电子器件中，二次电子发射是一种广泛存在的物理现象，在诸多领域中有着广泛的研究。二次电子的应用可以简单的分为两方面:一是利用高二次电子发射系数材料的电子发射能力作为电子源产生电子，如放电管、电子倍增管等；二是利用低二次电子发射系数的材料应用于粒子加速器、真空传输线等领域，解决因二次电子发射导致的粒子加速器的电子云、空间飞行器表面带电、部件性能下降等问题。特别是近年来随着大功率微波部件的应用，微放电问题变得更加突出，减小二次电子发射系数可以实现微放电效应抑制。为了减小材料表面二次电子发射系数，人们发展了多种方案。H.Bruining提出了表面镀覆碳膜的方法，初次电子入射到碳膜所产生的二次电子能够被孔壁拦截并吸收，从而大幅度降低表面二次电子产额。ESA研究人员提出在镁合金镀银表面利用电解氧化和磁控溅射的方法形成微米级多孔结构实现二次电子发射抑制。2008年，欧洲空间局报导了利用真空蒸发镀银方法实现银材料多孔结构，能够有效减小表面二次电子发射产额。但是，已有的二次电子发射抑制方法工艺复杂，抑制电子发射的稳定性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述缺陷，提供，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。本专利技术的上述目的主要是通过如下技术方案予以实现的:—种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，包括如下步骤:(I)、将金属基片置于等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空至3_5Pa ;(2)、升温至350-450°C，通入氩气将金属基片退火；(3)、关闭氩气，抽真空至5Pa以下，通入20-40sCCm的甲烷气体，调节气压为16Pa-33Pa，升温至 570_670°C，稳定 0.4_lh ；(4)、设置等离子体功率为110-130W，打开等离子体电源，此时甲烷气体激发成等1?子态，保持生长过程持续Ih-1Oh ；(5)、关闭等离子体电源，等离子体增强化学气相沉积系统降温，取出金属基片。在上述直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法中，将金属基片置于等离子体增强化学气相沉积系统之前，首先进行清洗，清洗方法为:将金属基片先后用丙酮和酒精各超声清洗20-35min，去除基片表面吸附，并用氮气吹干。在上述直接沉积纳米石墨稀抑制二次电子发射的方法中，步骤(2)中通入流量为50-100 sccm 的氩气，在 350-450°C 下退火 l_2h。在上述直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法中，步骤(2)中由室温经过20-30min 缓慢升温至 350-450 °C。在上述直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法中，步骤(3)中调节气压为20-25Pa，升温至 630-670 °C。在上述直接沉积纳米石墨稀抑制二次电子发射的方法中，金属基片表面沉积纳米石墨烯薄膜厚度为5-100纳米，其二次电子发射系数最大值小于1.1o在上述直接沉积纳米石墨稀抑制二次电子发射的方法中，金属基片为银、铜或金。本专利技术与现有技术相比具有如下有益效果:(I)、本专利技术将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景；(2)、本专利技术在金属片表面直接沉积纳米石墨烯的方法相比于表面沉积碳膜的方法，表面沉积的纳米石墨烯导电率更高；相比于将石墨烯生长在SiC等材料上然后转移到部件的方法，工艺过程更加简单方便，易于实现，且成本低廉；(3)、本专利技术通过对等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺进行改进和优化设计，显著提升了金属基片抑制二次电子发射的能力，降低了二次电子发射系数，实验表明了厚度仅为几个纳米的石墨烯薄膜就能较为有效地抑制二次电子发射，同时抑制幅度随膜厚增大而增加；(4)、本专利技术技术工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10%。【附图说明】图1为本专利技术直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法流程示意图；图2(a)为本专利技术实施例中铜基片石墨烯纳米膜微观形貌俯视图放大I千倍SEM图像；图2 (b)为本专利技术实施例中铜基片石墨烯纳米膜微观形貌俯视图放大20千倍SEM图像；图3(a)为本专利技术实施例中同一基片石墨烯薄膜任意选择10个不同位置拉曼光谱数据；图3(b)为本专利技术实施例中10个不同位置拉曼光谱D峰与G峰强度比值统计结果；图4为本专利技术实施例中银、铜基片上生长石墨烯薄膜前后二次电子发射系数实验结果；图5为本专利技术实施例中不同的石墨烯生长时间下，金属基片二次电子发射系数测试结果统计。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细的描述:如图1所示为本专利技术直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法流程示意图，样片超声清洗，氮气吹干一装入系统，抽真空一升温，氮气退火一升温，通入甲烷一石墨烯生长一取出样片保存。本专利技术直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法具体方法包括如下步骤:(I)、将金属基片先后用丙酮和酒精各超声清洗20-35min，去除基片表面吸附，并用氮气吹干。(2)、将金属基片置于远程等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)中，打开机械栗，抽真空至3_5Pa，此后一直保持真空机械栗正常工作；(3)、通入流量为50-100 sccm的氩气，由室温经过20_30min缓慢升温至350-450°C，在 350-450°C 下退火 l_2h ；(4)、关闭氩气，抽真空至5Pa以下，通入20-40sCCm的甲烷气体，调节气压为16-33Pa之间的某一定值，优选为20-25Pa，升温至570-670 °C，优选为630-670 °C，稳定0.4-lh ；(5)、设置等离子体功率为110-130W，打开等离子体电源，此时甲烷气体当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)、将金属基片置于等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空至3‑5Pa；(2)、升温至350‑450℃，通入氩气将金属基片退火；(3)、关闭氩气，抽真空至5Pa以下，通入20‑40sccm的甲烷气体，调节气压为16Pa‑33Pa，升温至570‑670℃，稳定0.4‑1h；(4)、设置等离子体功率为110‑130W，打开等离子体电源，此时甲烷气体激发成等离子态，保持生长过程持续1h‑10h；(5)、关闭等离子体电源，等离子体增强化学气相沉积系统降温，取出金属基片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢贵柏，崔万照，杨晶，胡天存，
申请(专利权)人：西安空间无线电技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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