【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
纳米材料自问世以来，受到科学界追捧，成为材料科学现今最为活跃的研究領域。纳米材料根据不同尺和性质，在电子行业、生物医药、环保、光学等领域都有着开发的巨大潜能。在将纳米材料应用到各行各业的同时，对纳米材料本身的制备方法和性质的研究也是目前国际上非常重视和争相探索的方向。纳米材料按维度分类，大致可分为四类零维、ー维、ニ維和三维纳米材料。如果ー个纳米材料的尺度在X、Y和Z三维空间受限，则称为零維，如纳米粒子；如果材料只在两个空间方向上受限，则称为ー维，如纳米线和纳米管；如果是在一个空间方向上受限，则称为ニ维纳米材料，如石墨烯；如果在X、Y和Z三个方向上都不受限，但材料的组成部分是纳米孔、纳米粒子或纳米线，就被称为三维纳米结构材料。纳米材料作为新兴的材料，目前最大的问题是如何制备批量、均匀、纯净的这种微型物质，从而进ー步研究这类材料的实际性能及其机理。从目前的研究情况来看，在诸多纳米材料中，一维的碳纳米管和ニ维的石墨烯材料的研究热度最高，而三维纳米结构的报道比较少，通常为纳米球、纳米柱等结构简单的三维纳米结构。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供ー种结构复杂、高均匀度的。一种，包括以下步骤提供一村底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。—种...
【技术保护点】
一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。
【技术特征摘要】
1.一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤 提供一衬底； 在所述衬底的表面形成一掩模层； 纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽； 刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露； 刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及 去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。2.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述刻蚀衬底的过程中，相邻两个条形凸起结构的顶端逐渐靠在一起，使所述多个条形凸起结构两两闭合。3.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，在所述相邻两个条形凸起结构闭合的过程中，对应闭合位置处的衬底被刻蚀的速度小于未闭合位置处衬底被刻蚀的速度。4.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述闭合的两个条形凸起结构之间的衬底表面形成第一凹槽，未闭合的相邻的两个凸起结构之间的衬底表面形成第二凹槽，且所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。5.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述刻蚀衬底的方法为等离子体刻蚀，具体包括以下步骤 对未被掩模层覆盖的衬底表面进行刻蚀，使衬底表面形成多个凹槽，所述凹槽的深度基本相同； 在所述等离子体的轰击作用下，所述掩模中相邻的两个条形凸起结构逐渐相向倾倒，使所述两个条形凸起结构的顶端逐渐两两靠在一起而闭合，所述等离子体对该闭合位置内所述衬底的刻蚀速率逐渐减小，从而在衬底的表面形成第一凹槽，在未发生闭合的两个条形凸起结构之间的衬底表面形成第二凹槽，且形成的所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。6.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述衬底的刻蚀方法为在一感应耦合等离子体系统中通过等离子体刻蚀的方法。7.如权利要求6所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述等离子体系统的功率为low 150W。8.如权利要求6所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述等...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，张立辉，陈墨，金元浩，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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