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三维纳米结构阵列制造技术

技术编号:8558462 阅读:195 留言:0更新日期:2013-04-10 22:17
本发明专利技术涉及一种三维纳米结构阵列,其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面,其中,每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种纳米材料,尤其涉及ー种三维纳米结构阵列
技术介绍
纳米材料自问世以来,受到科学界追捧,成为材料科学现今最为活跃的研究領域。纳米材料根据不同尺和性质,在电子行业、生物医药、环保、光学等领域都有着开发的巨大潜能。在将纳米材料应用到各行各业的同时,对纳米材料本身的制备方法和性质的研究也是目前国际上非常重视和争相探索的方向。纳米材料按维度分类,大致可分为四类零维、ー维、ニ維和三维纳米材料。如果ー个纳米材料的尺度在X、Y和Z三维空间受限,则称为零維,如纳米粒子;如果材料只在两个空间方向上受限,则称为ー维,如纳米线和纳米管;如果是在一个空间方向上受限,则称为ニ维纳米材料,如石墨烯;如果在X、Y和Z三个方向上都不受限,但材料的组成部分是纳米孔、纳米粒子或纳米线,就被称为三维纳米结构材料。纳米材料作为新兴的 材料,目前最大的问题是如何制备批量、均匀、纯净的这种微型物质,从而进ー步研究这类材料的实际性能及其机理。从目前的研究情况来看,在诸多纳米材料中,一维的碳纳米管和ニ维的石墨烯材料的研究热度最高,而三维纳米结构的报道比较少,通常为纳米球、纳米柱等结构简单的三维纳米结构。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供ー种结构复杂、高精准度的三维纳米结构阵列。ー种三维纳米结构阵列,其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少ー表面,其中,每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。ー种三维纳米结构阵列,其包括一基底,所述基底的一表面形成有多个第一凹槽及多个第二凹槽,在平行于基底表面的平面内,所述第一凹槽与第二凹槽并排延伸,在垂直于延伸方向上,所述第一凹槽与第二凹槽依次交替排列,其中,所述第一凹槽深度小于第二凹槽的深度。ー种三维纳米结构阵列,其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式设置于该基底至少ー表面,其中,所述三维纳米结构为条形凸起结构,多个三维纳米结构并排延イ申,在其延伸方向上,所述三维纳米结构的横截面为M形。ー种三维纳米结构阵列,其中,该三维纳米结构阵列包括一基底以及多个条形凸起结构相互平行地设置在所述基底的至少ー表面,每个条形凸起结构具有一 V形沟槽,所述V形沟槽的深度小于所述条形凸起结构的高度。与现有技术相比较,由于本专利技术的三维纳米结构阵列的三维纳米结构为M形结构,相当于包括至少两层或两组阵列状设置的三维纳米结构,该三维纳米结构具有不同深度的第一凹槽及第ニ凹槽,使得该三维纳米结构阵列具有广阔的应用前景。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的三维纳米结构阵列的结构示意图。图2为图1所示的三维纳米结构阵列沿I1-1I线的剖视图。图3为图1所示的三维纳米结构阵列的扫描电镜照片。图4为本专利技术第一实施例提供的三维纳米结构阵列的制备方法的エ艺流流程图。图5为图4所示的制备方法中形成的三维纳米结构预制体的扫描电镜照片。图6为本专利技术第二实施例提供的三维纳米结构阵列的结构示意图。图7为图6所示的三维纳米结构阵列沿VI1-VII线的剖视图。图8为本专利技术第三实施例提供的三维纳米结构阵列的结构示意图。图9为图8所示的三维纳米结构阵列沿IX-1X线的剖视图。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维纳米结构阵列,其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面,其特征在于,每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

【技术特征摘要】
1.一种三维纳米结构阵列,其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式分布于该基底至少一表面,其特征在于,每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间具有一第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。2.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述三维纳米结构为一条形凸起结构,多个三维纳米结构在基底表面以直线、折线或曲线的形式并排延伸。3.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述三维纳米结构在其延伸方向上的横截面的形状为M形。4.如权利要求3所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述每一三维纳米结构中第一凸棱与第二凸棱最高点之间的距离小于该三维纳米结构的宽度。5.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述第一凸棱及第二凸棱的横截面分别为锥形,所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。6.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述第一凸棱以及第二凸棱分别包括相交的棱面,所述棱面分别为平面、曲面或折面。7.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述第一凸棱与第二凸棱形成一对称结构。8.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,任意两个相邻的三维纳米结构具有相同间距。9.如权利要求8所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,相邻三维纳米结构之间的间距为O纳米 200纳米。10.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述三维纳米结构的宽度为100纳米 300纳米。11.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述多个三维纳米结果呈一维阵列分布,所述三维纳米结构以同一周期或多个周期分布形成所述一维阵列,所述周期范围为100纳米 500纳米。12.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列,其特征在于,所述第一凹槽与第二凹槽的延伸方向与所述第一凸棱或...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱振东李群庆张立辉陈墨金元浩范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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