【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
可渗透薄膜具有孔隙。该孔隙具有吸收、分离物质等功能，可渗透薄膜可用于各种工业领域，例如，光刻掩模(lithographic masks)、防反射材料、数据存储材料、催化剂、化学传感器、功能性材料、过滤和分离膜。这样的可渗透薄膜需要有排列规则的孔隙，并且孔隙越多越好。传统地，使用尺寸为200nm至500nm的聚苯乙烯珠和聚合物胶乳、微尺寸的胶体颗粒和蛋白石颗粒及其类似物作为模板，制备可渗透无机薄膜。然而，由于可渗透无机薄膜的孔隙的尺寸为200nm至500nm或为微尺寸，因此需要进一步降低孔隙的尺寸。制备纳米可渗透薄膜主要有两种方法。首先，一旦通过阳极氧化方法对铝进行阳极氧化，在铝表面可形成直径为几十纳米的规则的孔隙。可通过氧化条件来调整孔隙的间距或尺寸。其次，可以通过嵌段共聚物的微相分离和自组装来制备纳米级别的多孔隙结构。也可以通过控制分子量或链段组成来改变孔隙的尺寸或形状。由于最新的纳米级可渗透薄膜具有无数的可控(统一)尺寸的孔，可渗透薄膜可用作过滤器。随着该功能的引入，可渗透薄膜可用于特定材料、酶固定材料(enzyme fixtur...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.20 KR 10-2010-00808681.一种用于制备有孔可渗透薄膜的方法，其包括: 在第一基板上形成颗粒排列层； 用第二基板接触形成有所述颗粒排列层的所述第一基板，以把所述颗粒排列层转移到所述第二基板上； 用第一薄膜形成材料涂敷转移到所述第二基板上的所述颗粒排列层，以形成第一颗粒薄膜复合物；及 除去所述第一颗粒薄膜复合物中的部分所涂敷的所述第一薄膜，以形成多个孔，然后，通过所述孔除去所述颗粒。2.如权利要求1所述的方法， 其中除去所述颗粒的步骤包括: 蚀刻部分所述第一薄膜以形成多个孔，由此通过所述孔暴露所述颗粒中的每个的一部分；及 通过所述孔除去所暴露的所述颗粒。3.如权利要求1所述的方法， 其中，所述孔是二维地且规则地排列的。4.如权利要求1所述的方法， 其中，所述颗粒的尺寸是 介于IOnm至100 μ m之间。5.如权利要求1所述的方法， 其中，所述颗粒排列层包括单层或者多层所述颗粒。6.如权利要求1所述的方法， 其中，所述第一基板在其表面形成有第一凹雕或第一浮雕的图案。7.如权利要求6所述的方法， 其中，在所述第一基板上形成所述颗粒排列层的步骤包括:把多个颗粒放置在所述第一基板上，然后，通过物理性压力把部分或全部所述颗粒插入由所述第一凹雕或所述第一浮雕形成的孔隙中，以便在所述第一基板上形成所述颗粒排列层。8.如权利要求7所述的方法， 其中，通过摩擦或按压所述基板施加所述物理性压力。9.如权利要求8所述的方法， 其中，所述摩擦包括执行至少一次往复运动，方向与在通过使用第一构件将物理性压力施加到被放置在所述第一基板上的颗粒的状态下的所述第一基板平行。10.如权利要求9所述的方法， 进一步包括在执行所述摩擦后使用具有粘接性的第二构件除去并非形成所述颗粒排列层的所述颗粒的剩余颗粒。11.如权利要求6所述的方法， 其中，由形成在所述第一基板上的所述第一凹雕或所述第一浮雕形成的孔隙，具有与用于调整所述颗粒的方向而插入所述孔隙中的某些部分的所述颗粒的形状相对应的形状。12.如权利要求6所述的方法， 由形成在所述第一基板上的所述第一凹雕或所述第一浮雕形成的所述孔隙包括纳米井、纳米点、纳米棒、纳米柱、纳米沟、或纳米锥的形式。13.如权利要求6所述的方法， 由形成在所述第一基板上的所述第一凹雕或所述第一浮雕形成的所述孔隙具有至少两种不同的尺寸和/或形状。14.如权利要求1所述的方法， 其进一步包括:在使所述第二基板与所述第一基板接触之前，在所述第二基板的表面上形成粘接剂层。15.如权利要求1所述的方法， 其进一步包括:在所述第一基板上形成所述颗粒排列层之前，在所述第一基板上形成粘接剂层。16.如权利要求1所述的方法， 其中，在所述第一基板上排列的所述颗粒与相邻颗粒相接触或相分离。17.如权利要求1所述的方法， 其进一步包括从所述第二基板分离所形成的所述有孔可渗透薄膜。18.如权利要求17所述的方法， 其进一步包括把已从所述第二基板分离的所述有孔可渗透薄膜转移到支撑基板，所述支撑基板具有比所述可渗透薄膜的所述孔较大的孔。19.如权利要求1所述的方法， 其进一步包括在所述第一薄膜上形成至少一个额外的薄膜。20.如权利要求1所述的方法， 其中，所述第一或第二基板包括玻璃、熔融石英晶片、硅晶片或光致抗蚀剂。21.如权利要求1所述的方法， 其中，所述颗粒选自:有机聚合物、无机聚合物、无机材料、金属、磁性材料、半导体、生物材料、及它们的组合物。22.如权利要求14或15所述的方法， 其中，所述粘接剂层包含选自下述群组中的化合物:(...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹景炳，金铉成，洪冕杓，河娜必，
申请(专利权)人：西江大学校产学协力团，
类型：
国别省市：
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