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本公开内容涉及在1400℃以上的温度下在碳化硅表面上通过使硅从表面升华的石墨烯生长的工艺。该工艺包括在特定条件下加热至高达生长温度，这确保表面经历适当改性以允许以一个或多个单层形式的均匀的石墨烯。...
该专利属于格拉芬斯克公司所有，仅供学习研究参考，未经过格拉芬斯克公司授权不得商用。

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