一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法技术

本发明专利技术公开一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤：在MOCVD反应腔中，通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；在模板上生长本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；HEMT器件采用凹型栅极的MIS-HEMT结构。本发明专利技术的优点在于：通过InGaN器件内自建图形代替常规的ICP刻蚀二次外延的方法，降低了生长过程的复杂度；实验证实，当生长温度超过1100℃后，InGaN基完全分解。以此制作GaN自图形化模板，可以限制GaN生长的各向异性，提高晶体质量和表面形貌；非极性a面上制作的HEMT器件，规避了c面的极化效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子
，涉及半导体器件，是ー种新型非极性a面HEMT制作方法，可广泛用于通信、电カ电子等领域。
技术介绍
近十年来，以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体材料与器件发展迅猛，被称为继以硅(Si)为代表的第一代半导体、以神化镓(GaAs)为代表的第二代半导体后的第三代半导体。GaN作为直接带隙的宽禁带半导体材料，可与氮化铟(InN)，氮化铝(AlN)形成禁带宽度连续可变的三元或四元固溶体合金铟镓氮(InGaN)、铝镓氮(AlGaN)和铝铟镓氮(AlInGaN),其对应的波长覆盖了从红外到深紫外光范围，在光电子领域具有极大的应用前景。目前，通过GaN及其固溶体合金材料，已经制作了覆盖紫外到白光发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)、高频高功率的高电子迁移率晶体管(HEMT)等各类器件，广泛应用于通信、紫外探測、红外探測、白光照明、电カ电子等领域。高速电子迁移率晶体管(HEMT)是ー种异质结场效应晶体管，其杂质与电子在空间被分隔开，因而电子具有很高的迁移率。在此结构中，通过改变栅极(gate)的电压就可以控制由源极(source)到漏极(drain)的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤：1)采用MOCVD在蓝宝石衬底上制备出InGaN薄膜，然后通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；2)在模板上外延生长出本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；3)HEMT器件采用凹型栅极的MIS?HEMT结构。

【技术特征摘要】
1.一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤:1)采用MOCVD在蓝宝石衬底上制备出InGaN薄膜，然后通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；2)在模板上外延生长出本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；3)HEMT器件采用凹型栅极的MIS-HEMT结构。2.根据权利要求1所述的ー种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其特征在于:GaN自图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：张骏，田武，孙世闯，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：