温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤：在MOCVD反应腔中，通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；在模板上生长本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；HEMT器件采用凹型...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。