采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺制造技术

本发明专利技术公布了一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，包括如下步骤，投料、氧化、磷埋层光刻、注入、磷埋层退火、硼埋层光刻、注入、浓磷埋层光刻、注入、浓磷埋层退火、N型外延、深磷扩散、隔离扩散、基区注入、浓硼注入、基区退火、N+扩散、接触孔光刻、腐蚀、一铝溅射、介质淀积、通孔光刻、刻蚀、二铝溅射、压点光刻、刻蚀。采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极工艺制作的横向PNP管，其面积可比采用锑埋层技术缩小约35%。这将极大的降低微电子产品设计及流片成本，提高产品的市场竞争力及占有率，从而推动国际集成电路不断向更高品质及更低碳环保方向发展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，属于半导体制作

技术介绍
随着国际半导体技术的发展以及原材料成本不断上涨，各国对于集成电路领域的竞争越来越激烈，对集成电路的性能技术要求也越来越高，总是希望能在尽可能小的芯片上做出性能优良且功耗较小的电路。在集成电路中，所有器件共用一个电衬底，通常用反偏PN结隔离双极器件，因而存在一些潜在的寄生效应。同时，在单一外延区域集成一个以上器件，也产生了更可能的寄生效应。这些寄生效应大多数是以不希望的PNP或NPN晶体管出现，电路并不能从这些寄生元器件中获益。相反，当这些寄生元器件在电路正常工作或有外部脉冲导通时，就产生了额外的电流和功率损耗。如果这些电流很小，那么电路对其存在相对来说不太敏感，这些漏电流只能产生轻微的参数漂移。如果电流很大，形成闩锁结构(如图1所示)，会使电路无法正常工作，即使去除触发条件后也不行，只有在中断电源的情况下才能恢复正常工作。甚至闩锁将由于过量功耗及产生的过热引起集成电路的物理损坏，使电路永久失效。因此，寄生PNP或寄生NPN管的存在，不但使功率额外损耗，造成资源浪费，更有可能影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：1）投料：???????????????采用P型基片，晶向为；2）氧化：???????????????在基片表面氧化，氧化层厚度为7000??～8000??；3）磷埋层光刻、注入：????在横向PNP管埋层区部位注入磷，注入能量?80?KeV～100KeV，注入剂量6E14～8E14?Atoms/cm2，杂质为磷；4）磷埋层退火：??????????退火温度为1100℃～1200℃?，先通300～320分钟氮气，再通90～110分钟氧气；5）硼埋层光刻、注入：??在横向PNP管硼埋区部位注入硼，注入能量80...

【技术特征摘要】
1.一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤: 1)投料:采用P型基片，晶向为〈100〉； 2)氧化:在基片表面氧化，氧化层厚度为7000 A 8000 A ； 3)磷埋层光刻、注入:在横向PNP管埋层区部位注入磷，注入能量80 KeV IOOKeV,注入剂量6E14 8E14 Atoms/cm2，杂质为磷； 4)磷埋层退火:退火温度为1100°C 1200°C，先通300 320分钟氮气，再通90 110分钟氧气； 5)硼埋层光刻、注入:在横向PNP管硼埋区部位注入硼，注入能量80KeV IOOKeV，注入剂量2E14 4E14 Atoms/cm2，杂质为硼； 6)浓磷埋层光刻、注入:在横向PNP管基区部位注入浓磷，注入能量80 KeV IOOKeV，注入剂量2E15 3E15 Atoms/cm2，杂质为磷； 7)浓磷埋层退火:退火温度1100°C 1150°C，通入80 100分钟氮气； 8)N型外延:在横向PNP管基区部位外延，厚度7 9微米，电阻率I 3Ω.cm ； 9)深磷扩散:扩散部位为PNP管基区，深磷预扩1050°C 1080°C，先通3 5分钟氮气和氧气,接着通15 25分钟磷源,最后通46分钟氮气和氧气；深磷再扩为1100°C 1150°C，先通3 5分钟氧气，接着通70 80分钟氢气和氧气，最后通4 6分钟氧气； 10)隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟民，邓晓军，沈健雄，
申请(专利权)人：无锡友达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：