已做发射区推进的三极管hfe的二次增大方法技术

本发明专利技术涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益（hfe）的二次增大方法，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的hfe；若hfe低于合格值，则对晶圆进行hfe的二次增大，具体包括：将晶圆置于扩散炉内，炉内环境为600～800摄氏度且通入保护气体；将扩散炉的炉内温度升温至1000～1100摄氏度；将扩散炉保温一段时间，保温时间由需要达到的hfe决定，增益越大保温时间越长；将炉内温度降温至600～800摄氏度，然后取出晶圆。本发明专利技术对hfe达不到所需倍数的晶圆进行hfe的二次增大，增大后的hfe能够符合要求，从而降低了不良损耗，节省了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双极结型晶体管的制造方法，特别是涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法。
技术介绍
在制造双极结型晶体管(BJT，简称三极管)的过程中，需要对三极管的发射区进行P型杂质的主扩散(简称P主扩)，即将晶圆表面的P型杂质通过主扩散工艺推进到晶圆内部一定的深度，以期获得所需的小信号正向电流增益(hfe)。在做完P主扩后，晶圆中三极管的小信号正向电流增益hfe已经确定，这是因为基区和发射区已经形成，此时可以对hfe进行测试。传统对于hfe偏小的三极管，需要进行报废处理。但这会造成浪费，增加成本。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法。一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，包括下列步骤测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益；若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信 号正向电流增益的二次增大，具体包括将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体；将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度；将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长；将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆；所述第一温度为600 800摄氏度，所述第二温度为1000 1100摄氏度，所述第三温度为600 800摄氏度。在其中一个实施例中，所述保护气体为氧气，所述将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度的步骤中保持氧气环境，所述将扩散炉在第二温度附近保温一段时间的过程中通入氮气使炉内变为氮气环境。在其中一个实施例中，所述第二温度为1050摄氏度。在其中一个实施例中，所述第一温度和第三温度为700摄氏度。在其中一个实施例中，所述需要达到的小信号正向电流增益和保温时间满足如下关系:hfi =-3 + Q.55yff，其中T为所述保温时间，单位分钟，hfe为所述小信号正向电流增益。上述已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，对hfe达不到所需倍数的晶圆进行hfe的二次增大，增大后的能够符合要求，从而降低了不良损耗，节省了成本。附图说明图1是一实施例中已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法的流程图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。图1是一实施例中已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法的流程图，包括下列步骤SI 10，测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益。在P主扩完成后，测试晶圆上的双极结型晶体管的小信号正向电流增益(hfe)。 S120，判断hfe是否低于合格值。若hfe高于合格值，则不需要进行hfe的二次增大，否则进入步骤S130。S130，将晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体。将需要进行hfe 二次增大的晶圆置于处于600 800摄氏度、优选为700摄氏度的扩散炉内，并向炉内通入氧气。本实施例中通入氧气是因为需要在后续步骤中通入氮气对晶圆进行保护，但是晶圆中的某些物质会在高温下与氮气发生反应，故需要在此步骤中通入氧气而在晶圆表面生长一层二氧化硅，从而保护晶圆使其不会在高温下与氮气反应生成氮化硅。在其它实施例中，也可以采用氖气等惰性气体作为保护气体，但其成本较高。S140，将散炉的炉内温度升温至第二温度。在氧气环境中将炉内温度升温至1000 1100摄氏度，优选为1050摄氏度。S150，将扩散炉在第二温度附近保温一段时间。在本实施例中，是在升温完成后进行保温，使炉内温度维持稳定，同时通入氮气，晶圆在氮气环境、第二温度中其P杂质被继续推进到内部一定深度，从而增加了发射区深度。保温时间由需要达到的小信号正向电流增益(即倍数)决定，增益越大、需要的保温时间越长。在本实施例中，可以根据如下公式确定保温时间T与、之间的关系hfe = -3+ 0.55VF，其中T的单位是分钟。为了将hfe控制在需要的范围内，应该严格控制保温时间T。S160，将炉内温度降温至第三温度，然后取出晶圆。将温度降回至600 800摄氏度、优选为700摄氏度，然后将晶圆从扩散炉内取出。降温过程中应维持炉内的氮气环境。上述已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，对hfe达不到所需倍数的晶圆进行hfe的二次增大，增大后的能够符合要求，从而降低了不良损耗，节省了成本。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益；若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大，具体包括：将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体；将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度；将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长；将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆；所述第一温度为600～800摄氏度，所述第二温度为1000～1100摄氏度，所述第三温度为600～800摄氏度。

【技术特征摘要】
1.一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法，其特征在于，包括下列步骤 测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益； 若小信号正向电流增益低于合格值，则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大，具体包括 将所述晶圆置于扩散炉内，炉内环境为第一温度且通入保护气体； 将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度； 将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间；保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定，增益越大所述保温时间越长； 将所述炉内温度降温至第三温度，然后取出所述晶圆； 所述第一温度为600 800摄氏度，所述第二温度为1000 1100摄氏度，所述第三温度为600 800摄氏度。2.根据权利要求1所述的已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭充，徐国耀，高志伟，赵彦云，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：