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本发明涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益（hfe）的二次增大方法，包括下列步骤：测试晶圆上三极管的hfe；若hfe低于合格值，则对晶圆进行hfe的二次增大，具体包括：将晶圆置于扩散炉内，炉内环境为600～800摄氏度且通入保护...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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