三极管开口的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三极管开口的制备方法，该方法在完成氧化膜层和氮化膜层的成长后，刻蚀侧墙前，加入了以下步骤：1)在需要成长三极管的区域涂布光刻胶，并曝光；2)进行非等向性刻蚀，将所述氮化膜层刻开。本发明专利技术利用光刻胶，先在三极管开口的侧壁形成一层保护层，将开口部分的边缘形貌固定下来，然后再通过等向性刻蚀将该区域刻开，如此，使侧壁的形貌得到了保护，从而改善了三极管开口的粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在制备三极管的众多工艺流程中，需要首先将三极管形成区域定义出来，在此过程中由于存在各种不同的图形，导致芯片表面存在较大的高低差异，因此，在传统工艺中， 需要在定义三极管区域的时候，使用等向性刻蚀的方法，将高低差区域的侧墙刻掉。但是在制备过程中，由于等向性刻蚀的不可控性及其各向同性的特性，会导致刻出来的开口不可控，进一步会导致侧壁很粗糙，进而导致关键尺寸的不可控，容易发生关键尺寸不稳定，同时后续的多晶的制成过程中，如果侧壁粗糙，容易导致在不需要长多晶的地方出现多晶，这样就会导致漏电，造成元器件失效。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以改善三极管开口的粗糙度。为解决上述技术问题，本专利技术的，主要是在完成氧化膜层和氮化膜层的成长后，等向性刻蚀掉高低差区域的侧墙前，加入了以下步骤I)在需要成长三极管的区域涂布光刻胶，并曝光；2)进行非等向性刻蚀，将所述氮化膜层刻开。较佳的，步骤2)中，在进行非等向性刻蚀时，使用加强离子轰击工艺，将部分光刻胶轰击下来，沉积在所 述三极管开口的侧壁上形成保护层。本专利技术利用表面的光刻胶，在刻蚀开始阶段，在三极管开口的侧壁形成一层薄薄的保护层，将开口部分的边缘形貌先固定下来，然后再进行等向性刻蚀，将该区域刻开，如此，使三极管开口的侧壁形貌得到保护，从而改善了三极管开口的粗糙度。附图说明图1是采用现有工艺制作的三极管开口的形貌。图2是本专利技术的工艺流程图；其中，(a)是涂布光刻胶后的示意图；(b)是非等向性刻蚀后的示意图；(C)是等向性刻蚀后的示意图；(d)是湿法刻蚀后的示意图；(e)是去除光刻胶后的示意图。图3是采用本专利技术的方法制作的三极管开口的形貌。附图标记说明1:基板2 :氧化膜3:氮化膜4:光刻胶5:保护层具体实施方式为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式详述如下本实施例的，其具体的工艺流程如下步骤1，在栅极形成后，在基板1(基板I可以是硅，也可以是其他材质)上成长一层氧化膜2，再在氧化膜2上成长一层氮化膜3，氧化膜2和氮化膜3的厚度主要取决于工艺需求。步骤2，在需要成长三极管的区域涂布光刻胶4，如图2(a)所示，然后曝光。光刻胶4的厚度及开口的尺寸视工艺需求决定。步骤3，采用非等向性刻蚀，并使用加强离子轰击，将氮化膜3层刻开，并将部分光刻胶4轰击下来，沉积在三极管开口的侧壁上形成保护层5。同时，由于该刻蚀工艺含有较多的聚合物生成气体(例如氧气)，这些反应的副产物也会沉积在三极管开口的侧壁形成保护层5，如图2(b)所示。步骤4，采用等向性刻蚀，并使用离子轰击，将高低差区域的侧墙上的氮化膜刻蚀掉，如图2(c)所示。此步由于有保护层5的保护，可能会有一些氮化膜残留在三极管开口的侧壁。步骤5，采用湿法刻蚀，将氮化膜3下面的氧化膜2刻开，如图2 (d)所示，以清除干净侧壁残留的氮化膜。步骤6，去除光刻胶4，形成侧壁光滑的三极管开口，如图2(e)和图3所示。这种开口有利于后续多晶的形成。该方法通过利用表面的光刻胶4，在刻蚀开始阶段，在三极管开口的侧壁形成一层薄薄的聚合物保护层5，将开 口部分的边缘形貌先固定下来，然后再进行等向性刻蚀将该区域刻开。由于侧壁存在保护层5，在后续等向性刻蚀时，会阻挡刻蚀的进行，因此，等向性刻蚀只会在保护层5下方进行，这样就使得侧壁的形貌得到了保护。比较图3和图1，可以看出，采用本专利技术的方法制备的三极管开口的粗糙度得到了明显的改善。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三极管开口的制备方法，其特征在于，在完成氧化膜层和氮化膜层的成长后，等向性刻蚀侧墙前，还包括以下步骤：1)在需要成长三极管的区域涂布光刻胶，并曝光；2)进行非等向性刻蚀，将所述氮化膜层刻开。

【技术特征摘要】
1.一种三极管开口的制备方法，其特征在于，在完成氧化膜层和氮化膜层的成长后，等向性刻蚀侧墙前，还包括以下步骤 1)在需要成长三极管的区域涂布光刻胶，并曝光；...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁新举，孙娟，刘鹏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：