【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作领域,特别是涉及。
技术介绍
目前IGBT(绝缘栅双极型晶体管)工艺中,需要在wafer (晶片)背面进行反型注入,且注入前wafer必须减到非常薄(60_100um)的状态,这么薄的硅片厚度进行注入及注入后的激活退火,对设备的硬件要求非常的高。另外,如果要将FRD (快速恢复二极管)及IGBT集成在一个芯片上,还需要部分区域进行反型注入部分区域进行同型注入。而且注入区域必须和正面的器件保证对准。这样就需要进行专门的背面光刻。普通的制造LOGIC(半导体)产品的工厂没有符合要求的设备能进行这类晶片处理
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供,能降低绝缘栅双极型晶体管晶片制作时对设备硬件精度的要求,采用本专利技术的制作方法普通(中、小型)半导体产品工厂能具备生产绝缘栅双极型晶体管晶片的能力。为解决上述技术问题,本专利技术的绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法,包括(I)将器件晶片的两面定义为镜面、背面,对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层,刻蚀出对准标注的沟槽,所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层的深度;(2)将处理晶片的两面定义为镜面、背面,对处理晶片的镜面进行表面氧化处理;(3)将器件晶片的镜面和处理晶片的镜面进行硅硅键和;(4)对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止;(5)在器件晶片背面进行常规的晶片制作处理工艺,在器件晶片处理工艺完成后进行器件晶片背面贴膜;对处理晶片背面进行硅去除;(6)将步骤(2)中生成的氧化膜去除。实施步骤(3),采用真空键和。实施步骤(5),对处理晶片背 ...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法,其特征是,包括:(1)将器件晶片的两面定义为镜面、背面,对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层,刻蚀出对准标注的沟槽,所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层的深度;(2)将处理晶片的两面定义为镜面、背面,对处理晶片的镜面进行表面氧化处理;(3)将器件晶片的镜面和处理晶片的镜面进行硅硅键和;(4)对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止;(5)在器件晶片背面进行常规的晶片制作处理工艺,在器件晶片处理工艺完成后进行器件晶片背面贴膜;对处理晶片背面进行硅去除;(6)将步骤(2)中生成的氧化膜去除。
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法,其特征是,包括 (1)将器件晶片的两面定义为镜面、背面,对器件晶片的镜面进行绝缘双极型晶体制作常规的光刻、注入形成注入层,刻蚀出对准标注的沟槽,所述沟槽深度大于器件注入退火后所形成注入层的深度; (2)将处理晶片的两面定义为镜面、背面,对处理晶片的镜面进行表面氧化处理; (3)将器件晶片的镜面和处理晶片的镜面进行硅硅键和; (4)对器件晶片的背面进行减薄抛光至对准标注的沟槽露出为止; (5)在器件晶片背面进行常...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷海波,董颖,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。