本发明专利技术提供了一种阵列基板、显示面板及装置，用以解决现有技术中静电防护单元放电能力较低的问题，同时提高显示面板的良率和抗静电能力。该阵列基板上设置有静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，该金属层的一侧设置有一个或多个放电单元，其中，至少一个放电单元包括至少5个尖端，包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元包括至少1个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及装置。
技术介绍
无论在日常生活中还是工业生产中，静电都和我们关系很大，在电子行业的生产中，轻微的静电都会使得电子器件失效，极大地影响生产效率和良品率，甚至使得生产不能顺利进行。电子器件生产中的静电防护一方面可以通过对生产环境的温度，湿度等条件的控制，减少静电的发生，还可以通过对器件本身的静电防护(ESD, Electro-StaticDischarge)装置降低静电对电子器件的影响。为了防止在生产和存储过程中产生静电对显示面板产生较大影响，通常在如图1所示的显示面板I的周边设置有圆环形阴影部分所示的静电防护单元2。若图1所示静电防护单元2为单层金属静电防护单元，将其中部分结构4放大后的图案如图2 (a)或者图2 (b)所示，从图2 (a)可以看出，所述静电防护单元2中包括金属层M和放电单元D1，从图2 (b)中可以看出所述静电防护单元2中包括金属层M和放电单元D2，并且放电单元Dl和D2的放电能力最强的主要放电尖端都指向显示面板的内部，即显示区域3，通过尖端和空气之间放电，防止电荷积累。若图1中所示静电防护单元2为多层金属静电防护单元单元，将其部分放大后的图案如图3 (a)或者图3 (b)所示，所述多层金属静电防护单元一般采用金属层之间放电来形成，从图3 (a)和图3 (b)中还可以看出，所述静电防护单元中2包括两个金属层M，所述金属层上设置有放电单元Dl或放电单元D2，主要放电点位于两层金属接触最近的点，通过尖端在两层之间发生放电，从而有效的将电荷中和，降低静电的影响。但是，上述所有构型的放电单元，容易造成电荷的分散分布，使得电荷不能有效释放，从而增加电荷积累的密度，增大静电的危害。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及装置，用以解决现有技术中静电防护图案放电能力较低的问题，同时提高显示面板的良率和抗静电能力。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板周边区域上设置有一圈静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，及金属层的一侧设置的一个或多个放电单元，其中，至少一个放电单元包括至少5个尖端,包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元包括至少I个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。本专利技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板所述的阵列基板。本专利技术实施例提供了 一种显示装置，该显示装置包括所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板，该阵列基板上设置有静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，该金属层的一侧设置有一个或多个放电单元；其中，至少一个放电单元包括至少5个尖端，包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元包括至少I个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°，放电尖端与金属层之间形成多个比较平缓的凹形尖端，减少了电荷在除主要放电尖端外的其它部位的聚集，促使电荷更多的聚集在主要放电尖端上，从而增强了阵列基板的放电能力。附图说明图1为具有静电防护单元的显示面板的结构俯视图；图2(a)为现有技术中一种单层金属静电防护单元的结构俯视图；图2(b)为现有技术中另一种单层金属静电防护单元的结构俯视图；图3(a)为现有技术中一种多层金属静电防护单元的结构示意图；图3(b)为现有技术中另一种多层金属静电防护单元的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的一种单层金属静电防护单元的结构示意图；图5为本专利技术实施例二提供的一种单层金属静电防护单元的结构示意图；图6为本专利技术实施例三提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意图；图7为本专利技术实施例四提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意；图8为本专利技术实施例五提供的一种多层金属静电防护单元的结构示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及装置，用以解决现有技术中静电防护单元放电能力较低的问题，同时提高显示面板的良率和抗静电能力。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板上设置有静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，该金属层的一侧设置有一个或多个放电单元，其中，至少一个放电单元包括至少5个尖端,包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元包括至少I个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。所述非放电尖端到金属层的垂直距离小于所述放电尖端到金属层的垂直距离。较佳的，所述放电单元中只存在一个放电尖端；一般的，放电尖端的个数不超过3个。并且，位于同一边上的相邻的两个非放电尖端的连线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面的夹角均大于90°，即位于金属层与放电尖端的之间的非放电尖端对应的夹角为凹形；且相邻的非放电尖端和放电尖端之间的连线所在的垂直与阵列基板的面与金属层的侧面的夹角大于或等于90°。较佳的，所述至少一个放电单元包括5个或7个尖端；同时，所述静电防护单元中也可以包括具有更多尖端的放电单元。较佳的，所述放电单元的俯视图形为轴对称图形，以经过距离金属层最远处的尖端且与金属层垂直的直线为对称轴，此结构有利于电荷在放电单元上均匀积累，使得静电防护单元放电均匀；同时，所述放电单元的俯视图也可以为不对称图形。较佳的，所述放电单元包括5个尖端，其中I个尖端为第一主要放电尖端，其它4个尖端为非放电尖端；所述放电单元中第一非放电尖端和第二非放电尖端处于放电单元和金属层的接触面上；第三非放电尖端和第四非放电尖端处于金属层和第一主要放电尖端之间；并且，位于同侧的两个非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面不垂直，且该线与金属层的侧面之间的夹角大于90°。冋时，所述放电单兀中还可以包括7个尖纟而，其中I个尖纟而为第二王要放电尖立而，2个尖端为非主要放电尖端，其它4个尖端为非放电尖端；所述放电单元中第五非放电尖端和第六非放电尖端处于放电单元和金属层的接触面上；第七非放电尖端处于第五非放电尖端和第一非主要放电尖端之间，其和第五非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面不垂直；第八非放电尖端处于第六非放电尖端和第二非主要放电尖端之间，其和第六非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面不垂直；第一非主要放电尖端处于第七非放电尖端和第二主要放电尖端之间，其和第七非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面互相垂直； 第二非主要放电尖端处于第八非放电尖端和第二主要放电尖端之间，其和第八非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板的面与金属层的侧面互相垂直。此外，所述放电单元中还可以包括更多的尖端，例如放电单元中包括11个或者是更多的尖端，且每个非放电尖端对应的角度都是比较平缓的凹形，其最优的实施例是放电单元中非放电尖端处于放电尖端与金属层之间，每个非放电尖端之间的连线形成为凹形的平滑的弧形。较佳的，所述主要放电尖端位于所述静电防护单元外围，且主要放电尖端指向远离所述静电防护单元的方向。当所述金属层具有多层金属结构时，每两层金属上放电单元的主要放电尖端相向而对。本专利技术实施例一提供的一种阵列基板本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，该阵列基板的周边区域上设置有一圈静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，及所述金属层的一侧设置的一个或多个放电单元，其特征在于，其中，至少一个放电单元包括至少5个尖端，包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元中包括至少1个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，该阵列基板的周边区域上设置有一圈静电防护单元，所述静电防护单元包括金属层，及所述金属层的一侧设置的一个或多个放电单元，其特征在于，其中， 至少一个放电单元包括至少5个尖端，包括放电尖端和非放电尖端；所述放电单元中包括至少I个放电尖端，并且，所述放电单元包括至少一个与金属层共同构成的尖端，且通过所述尖端的放电单元的侧面与金属层的侧面之间的夹角大于90°。2.按权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述非放电尖端到金属层的侧面的垂直距离小于所述放电尖端到金属层的垂直距离。3.按权利要求2所述阵列基板，其特征在于，位于所述金属层和放电尖端之间的非放电尖端所对应的角为凹形角。4.按权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述放电单元中放电尖端总数不多于3个。5.按权利要求1所述阵列基板，其特征在于，至少一个放电单元包括5个或7个尖端。6.按权利要求1所述阵列基板，其特征在于，所述放电单元的俯视图形以经过距离金属层最远的尖端且与金属层垂直的直线为对称轴，成轴对称图形。7.按权利要求5所述阵列基板，其特征在于，当所述放电单元包括5个尖端时，其中，I个尖端为第一主要放电尖端，其它4个尖端为非放电尖端； 所述放电单元中第一非放电尖端和第二非放电尖端处于放电单元和金属层的接触面上；第三非放电尖端和第四非放电尖端处于金属层和第一主要放电尖端之间； 位于同侧的两个非放电尖端所构成的线所在的垂直于阵列基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲连杰，郭建，王德帅，史大为，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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