一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够实现像素快速充电。所述阵列基板，包括：交叉设置在透明基板上的栅线及数据线，设置在栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁；栅绝缘层设置在所述栅线上，覆盖整个凹槽；源极图案和漏极图案中的一个设置在所述栅绝缘层上，覆盖所述凹槽底面，所述源极图案和漏极图案上下对照设置；所述钝化层至少覆盖所述凹槽的部分侧壁；所述有源层设置在所述源极图案和所述漏极图案之间，只覆盖所述凹槽的底面，所述有源层顶端到所述透明基板的距离小于或等于所述栅线顶端到所述透明基板的距离，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
如图1所示，为现有技术中的一种阵列基板的俯视示意图，一般情况下，所述阵列基板都如图1所示，包括栅扫描线11，数据线12，公共电极线13，像素电极14，公共电极(图中未显示，与所述公共电极线13相连)以及薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极(图中未示出，是所述栅扫描线11的一部分)，有源层16，源极17以及漏极18。所述有源层16在所述栅极上方，所述源极17和漏极18设置在所述有源层16上，其中，所述源极17连接所述数据线12，所述漏极18通过过孔15连接所述像素电极14。对栅极施加适当电压，即可在有源层16形成电子沟道，而使源极17与漏极18之间形成导通状态，连接漏极18的像素电极即可被充电，与通过公共电极线13加载电压的公共电极之间形成电场，从而控制液晶层中液晶的旋转，实现图像显示。现有技术中，为了实现快速的充电能力，一般会减少源极与漏极之间的沟道宽度或者增大源极与漏极之间的通道范围。然而，减少通道宽度通常需要辅以特殊光罩及光阻的配合，制作设计困难。而增大通道范围则会造成开口率的损失，使液晶显示器的光穿透率下降。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，可以容易地实现像素的快速充电能力与高的开口率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:一种阵列基板，包括:透明基板，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁；栅绝缘层设置在所述栅线上，覆盖整个凹槽；源极图案和漏极图案中的一个设置在所述栅绝缘层上，覆盖所述凹槽底面，所述源极图案和漏极图案上下对照设置；源极图案电连接数据线，所述漏极图案连接所述像素电极；所述钝化层至少覆盖所述凹槽的部分侧壁；所述有源层设置在所述源极图案和所述漏极图案之间，只覆盖所述凹槽的底面，所述有源层顶端到所述透明基板的距离小于或等于所述栅线顶端到所述透明基板的距离，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触。可选的，所述漏极图案与所述像素电极同层设置。或者，所述漏极图案与所述像素电极异层设置，所述漏极图案设置在所述有源层与所述像素电极之间；所述漏极图案的材料为不透光的金属材料。可选的，所述的阵列基板中所述有源层包括:一层n+a-Si层，设置在所述n+a-Si层上的a-Si层以及设置在所述a-Si层上方的另一层n+a-Si层。可选的，所述凹槽包括四个侧壁:在所述凹槽所在的一段栅线的水平方向上的，相对的第一侧壁和第二侧壁；以及在所述凹槽所在的一段栅线的垂直方向上的，相对的第三侧壁和第四侧壁。可选的，所述源极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述漏极图案正下方，由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的第一侧壁、第二侧壁以及底面；所述钝化层设置在所述源极图案上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽的第一侧壁和第二侧壁。可选的，所述源极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述漏极图案正下方，由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的第一侧壁以及底面；所述钝化层设置在所述源极图案上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽的第一侧壁。可选的，所述漏极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述源极图案正下方，覆盖所述凹槽的底面，所述漏极图案通过设置在所述凹槽的第四侧壁上的引线与所述像素电极相连；所述钝化层设置在所述像素电极上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖设置在所述凹槽的第四侧壁上的引线。可选的，所述漏极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述源极图案正下方，覆盖所述凹槽的底面，所述漏极图案通过设置在所述凹槽的第一侧壁上的引线与所述像素电极相连；所述钝化层设置在所述像素电极上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖设置在所述凹槽的第一侧壁上的引线。一种阵列基板的制作方法，包括:在基板上制作栅线和公共电极线，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁；在形成栅线和公共电极线的基板上制作栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖在整个凹槽上方；在形成所述栅绝缘层的基板上制作源极图案，所述源极图案由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的部分侧壁以及底面；在形成所述源极图案的基板上制作带有过孔的钝化层，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽侧壁上的源极图案；在形成所述钝化层的基板上制作有源层，所述有源层位于所述钝化层的过孔区域，覆盖所述凹槽的底面，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触；在形成有源层的基板上制作漏极图案和像素电极，所述漏极图案覆盖所述凹槽的底面，且所述漏极图案与所述像素电极相连接。可选的，所述在形成有源层的基板上制作漏极图案和像素电极，包括:在形成有源层的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺形成所述漏极图案和所述像素电极。可选的，所述在形成有源层的基板上制作漏极图案和像素电极，包括:在形成有源层的基板上制作金属薄膜，通过一次构图工艺形成所述漏极图案；在形成漏极图案的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺形成所述像素电极。一种阵列基板的制作方法，包括:在基板上制作栅线和公共电极线，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁；在形成栅线和公共电极线的基板上制作栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖在整个凹槽上方；在形成所述栅绝缘层的基板上制作漏极图案、像素电极以及引线，所述漏极图案覆盖所述凹槽的底面，所述漏极图案通过设置在所述凹槽侧壁上的引线与所述像素电极相连；在形成所述漏极图案、像素电极以及引线的基板上制作带有过孔的钝化层，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽侧壁上的引线；在形成所述钝化层的基板上制作有源层，所述有源层位于所述钝化层的过孔区域，覆盖所述凹槽的底面，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触；在形成有源层的基板上制作源极图案，所述源极图案由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的底面。可选的，在形成有源层的基板上制作漏极图案、像素电极以及引线，包括:在形成有源层的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺形成所述漏极图案、所述像素电极以及所述引线。可选的，在形成有源层的基板上制作漏极图案、像素电极以及引线，包括:在形成有源层的基板上制作金属薄膜，通过一次构图工艺形成所述漏极图案和所述引线；在形成漏极图案和引线的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺形成所述像素电极。一种显示装置，包括上述的阵列基板。上述技术方案提供的阵列基板及其制作方法、显示装置，通过在栅线内设置凹槽，并以栅线侧面为栅极，将源极图案和栅极图案上下设置，形成立体的TFT结构，从而使所述有源层的至少两个侧面可以驱动形成TFT沟道，通过合理设置凹槽长度及形状(如折线形，曲线形，S形等)从而容易地提高沟道的宽长比从而实现像素的快速充电，有助于高清显示中对于高频率刷新的要求。同时，将所述TFT结构立体地形成在所述栅线内，与现有技术相t匕，提高了基板的开口率。优选的，在源漏极图案均为不透光金属的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明基板，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极，其特征在于，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁；栅绝缘层设置在所述栅线上，覆盖整个凹槽；源极图案和漏极图案中的一个设置在所述栅绝缘层上，覆盖所述凹槽底面，所述源极图案和漏极图案上下对照设置；源极图案电连接数据线，所述漏极图案电连接所述像素电极；所述钝化层至少覆盖所述凹槽的部分侧壁；所述有源层设置在所述源极图案和所述漏极图案之间，只覆盖所述凹槽的底面，所述有源层顶端到所述透明基板的距离小于或等于所述栅线顶端到所述透明基板的距离，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括:透明基板，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极，其特征在于， 所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁； 栅绝缘层设置在所述栅线上，覆盖整个凹槽； 源极图案和漏极图案中的一个设置在所述栅绝缘层上，覆盖所述凹槽底面，所述源极图案和漏极图案上下对照设置；源极图案电连接数据线，所述漏极图案电连接所述像素电极； 所述钝化层至少覆盖所述凹槽的部分侧壁；所述有源层设置在所述源极图案和所述漏极图案之间，只覆盖所述凹槽的底面，所述有源层顶端到所述透明基板的距离小于或等于所述栅线顶端到所述透明基板的距离，且所述有源层的侧面与所述栅绝缘层和所述钝化层相接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括:所述漏极图案与所述像素电极同层设置。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极图案与所述像素电极异层设置，所述漏极图案设置在所述有源层与所述像素电极之间；所述漏极图案的材料为不透光的金属材料。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括:一层n+a-Si层，设置在所述n+a-Si层上的a-Si层以及设置在所述a_Si层上方的另一层n+a-Si层。5.根据权利要求1-4所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽包括四个侧壁:在所述凹槽所在的一段栅线的水平方向上的，相对的第一侧壁和第二侧壁；以及在所述凹槽所在的一段栅线的垂直方向上的，相对的第三侧壁和第四侧壁。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述漏极图案正下方，由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的第一侧壁、第二侧壁以及底面； 所述钝化层设置在所述源极图案上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽的第一侧壁和第二侧壁。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述漏极图案正下方，由所述数据线延伸而出覆盖所述凹槽的第一侧壁以及底面； 所述钝化层设置在所述源极图案上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖所述凹槽的第一侧壁。8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述源极图案正下方，覆盖所述凹槽的底面，所述漏极图案通过设置在所述凹槽的第四侧壁上的引线与所述像素电极相连； 所述钝化层设置在所述像素电极上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖设置在所述凹槽的第四侧壁上的引线。9.根据权利要求5所 述的阵列基板，其特征在于，所述漏极图案设置在所述栅绝缘层上，位于所述源极图案正下方，覆盖所述凹槽的底面，所述漏极图案通过所述凹槽的第一侧壁上的引线与所述像素电极相连；所述钝化层设置在所述像素电极上，所述钝化层上设置有过孔，所述过孔在所述凹槽的底面正上方对应的区域，所述钝化层覆盖设置在所述凹槽的第一侧壁上的引线。10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上制作栅线和公共电极线，所述栅线内设置有凹槽，所述凹槽包括底面和侧壁； 在形成栅线和公共电极线的基板上制作栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖整...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明，郝昭慧，尹雄宣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：