【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体分立器件和太阳能电池片的制造领域。
技术介绍
磷扩散是半导体分立器件、集成电路芯片和太阳能电池片制作PN结所必须的一道工艺，目前这道工艺所采用的技术是热扩散技术。半导体分立器件主要用于制造二极管、三极管、功率器件、IGBT及晶闸管等，该系列产品在国内有上百亿的销售额，产能非常庞大。另一方面作为太阳能电池片的用途，硅片运用也非常广泛，全球70%以上的太阳能电池片是使用硅片作为电池片的。2011年已经实现25GW的产能，多晶用量达到18万吨是半导体用量的6倍，因此太阳能的产量比半导体产量更大。国内能够生产太阳能电池硅片厂家约120多家，而能够生产半导体分立器件扩散片的厂家也达到几十家。用于磷扩散的扩散炉每个厂家基本有几十台到上百台，市场需求量很大。目前市场上技术成熟的磷扩散技术主要有三种:1、采用液态三氯氧磷源扩散；2、采用喷涂磷酸水溶液后链式扩散；3、采用磷源纸夹层后链式扩散。这三种磷扩散的方法以液态磷源扩散的方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，因此运用范围最广，生产厂家普遍采用该方法进行大批量生产。磷扩散方法的结...
【技术保护点】
一种磷扩散炉抽风管缓冲箱，其特征在于：包括方形的缓冲箱体，所述缓冲箱体后侧壁上设有炉管开口，磷扩散炉的炉管通过所述炉管开口伸入所述缓冲箱，炉管口部上设有炉帽，所述炉帽包括底部封闭的圆筒形石英材质帽体，所述帽体底部设有一向外凸出的开口延嘴，所述帽体底部内壁焊接有一石英卡环，所述开口延嘴设置在卡环底面与帽体底壁之间，所述缓冲箱体前侧敞口并设有密封门，所述密封门右侧与缓冲箱体铰接，所述密封门左侧与缓冲箱体之间设有锁闭结构，所述密封门上设有导流结构，所述缓冲箱体右侧壁上设有抽风管开口。
【技术特征摘要】
1.种磷扩散炉抽风管缓冲箱，其特征在于:包括方形的缓冲箱体，所述缓冲箱体后侧壁上设有炉管开口，磷扩散炉的炉管通过所述炉管开口伸入所述缓冲箱，炉管口部上设有炉帽，所述炉帽包括底部封闭的圆筒形石英材质帽体，所述帽体底部设有一向外凸出的开口延嘴，所述帽体底部内壁焊接有一石英卡环，所述开口延嘴设置在卡环底面与帽体底壁之间，所述缓冲箱体前侧敞口并设有密封门，所述密封门右侧与缓冲箱体铰接，所述密封门左侧与缓冲箱体之间设有锁闭结构，所述密封门上设有导流结构，所述缓冲箱体右侧壁上设有抽风管开口。2.据权利要求1所述的磷扩散炉抽风管缓冲箱，其特征在于:所述密封门上边沿、下边沿及右边沿设有密封条进行密封。3.据权利要求2所述的磷扩...
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