一种电子封装用高熔点无铅钎料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为：88-89.5wt％的Bi，10wt％的Ag，0.5-2wt％的Cu，所述钎料的熔化温度为260-270℃，剪切强度为28-29.5MPa，所述钎料具有较为合适的熔化温度，作为电子封装用高铅钎料的无铅替代钎料的潜力较大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子封装用无铅钎料及其制备方法。
技术介绍
随着现代电子产品持续向微小型化和多功能化方向发展，电子封装密度越来越高，新型半导体芯片等电子元器件的服役环境(高温、高热、高湿度等)日益严峻。因此，电子封装用高温互连材料的需求将会增加。另外，高铅钎料的豁免期限也即将来临，研发合适的可替代高铅高熔点钎料用的无铅钎料备受关注且亟待解决。国外相关研究机构已投入较大的人力物力进行此方面的研究，但是国内的此方面研究还未受到重视。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是寻找一种高熔点高铅钎料的无铅替代产品，主要的研究对象是在B1-Ag合金的基础上加入了微量的Cu元素，以改善其多项性能。并通过一系列实验来验证该体系的钎料作为高熔点高铅钎料替代产品的可行性。本专利技术涉及一种电子封装用的高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为:88-89.5 七％的扮、1(^七％的48、0.5_2wt%的Cu，所述钎料的熔化温度为260_270°C，剪切强度为28-29.5MPa。所述钎料的化学组成为:88wt%的B1、IOwt%的Ag、2wt%的Cu。所述钎料的化学组成为:89wt%的B1、IOwt本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为：88?89.5wt％的Bi、10wt％的Ag、0.5?2wt％的Cu，所述钎料的熔化温度为260?270℃，剪切强度为28?29.5MPa。

【技术特征摘要】
1.种电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于所述钎料的化学组成为:88-89.5wt%的B1、IOwt%的Ag、0.5_2wt%的Cu，所述钎料的熔化温度为260-270°C，剪切强度为 28-29.5MPa。2.权利要求1所述的电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于，所述钎料的化学组成为:88wt%的 B1、10wt%的 Ag、2wt%的 Cu。3.权利要求1所述的电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于，所述钎料的化学组成为:89wt%的 B1、IOwt%的 Ag、Iwt%的 Cu。4.权利要求1所述的电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于，所述钎料的化学组成为:89.5wt%的 B1、IOwt%的 Ag、0.5wt%的 Cu。5.权利要求1所述的电子封装用高熔点无铅钎料，其特征在于，所述钎料的表面张力为 420-490...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹立孟，尹建国，夏文堂，姚宗湘，
申请(专利权)人：重庆科技学院，
类型：发明
国别省市：