晶片清洗方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种晶片清洗方法，该方法包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。采用本发明专利技术所提供的晶片清洗方法，可解决现有技术中对晶片清洗后易于在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，从而可减小器件的失效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
半导体器件制造过程可分为前段工艺和后段工艺，前段工艺中主要在晶片上形成晶体管、电容或电阻等相应器件，后段工艺主要将前段工艺中形成的器件通过金属相连，即主要形成金属互连。在后段工艺中形成金属互连时，常需要在晶片上形成金属层以及在相邻金属层之间形成金属层间介质(Inter Metal Dielectric, IMD)。所述金属层间介质一般是在特定的腔体内通过化学气相沉积工艺而形成的，在形成金属层间介质后，所述金属层间介质上难免会残留一些因腔体污染而造成的颗粒或杂质，为了去除所述颗粒或杂质，在形成金属层间介质后常采用去离子水对晶片表面进行清洗。参考图1，图1为采用去离子水清洗晶片过程的照片示意图，在清洗过程中，晶片被放置在特定的转盘上，并随着转盘的旋转而旋转，喷水装置将去离子水以水柱的形式喷到晶片的中心，喷到晶片中心的去离子水在晶片的旋转下迅速向四周散开，进而可将晶片表面的颗粒或杂质清洗干净。但是，采用现有技术在对晶片进行清洗之后，晶片中心位置处常会因水柱与金属层间介质之间形成的静电荷而对金属层间介质造成缺陷，参考图2和图3，图2中示出了位于晶片中心位置处金属层间介质上的缺陷(方框所圈部分)，图3为对图2中方框所圈部分中某些缺陷的局部放大图，图中凹坑即为水柱与金属层间介质之间形成的静电荷穿过所述金属层间介质后而留下的缺陷，这些缺陷会使得金属层间介质和金属层之间产生漏电，进而导致器件失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种，以解决清洗后在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，进而减小器件的失效率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种，该方法包括:提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。优选的，上述方法中，所述水柱与晶片接触的位置在由距离晶片中心分别为第二半径和第三半径的同心圆所构成的圆环内；其中，所述第三半径小于第二半径，所述第二半径不大于第一半径。优选的，上述方法中，所述第三半径为0.4cm，所述第二半径为0.6cm。优选的，上述方法中，所述水柱与晶片表面所成的角度小于90度。优选的，上述方法中，所述水柱与晶片表面所成的角度为60度。优选的，上述方法中，所述晶片的旋转速度为1000转/分钟。优选的，上述方法中，对晶片进行清洗的时间为40秒。优选的，上述方法中，所述喷水装置包括喷水管及与设置在喷水管上的喷嘴；所述去离子水从喷水装置的喷嘴被以水柱的形式喷到晶片上。从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的包括:提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。由于水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但不在晶片中心，又由于晶片在清洗过程中是旋转的，因此，水柱与晶片上的金属层间介质之间产生的静电荷不会处于晶片上某一特定的位置，从而不会因静电荷的积累而导致晶片上某一特定位置(例如晶片中心)处产生缺陷，故采用本专利技术所提供的清洗方法可解决现有技术中在清洗后易于在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，从而可减小器件的失效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中采用去离子水清洗晶片过程的照片示意图；图2为采用现有工艺对晶片进行清洗后晶片上的缺陷示意图；图3为图2中方框所圈部分中某些缺陷的局部放大图；图4为本专利技术实施例所提供的一种的流程示意图；图5为采用本专利技术所提供的方法对晶片进行清洗时的照片示意图；图6为本专利技术实施例所提供的晶片清洗过程中水柱被喷到晶片上的位置的结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
部分所述，现有技术中在对晶片进行清洗过程中，常通过喷水装置将去离子水喷到晶片的中心，被喷到晶片中心的去离子水在晶片的旋转下迅速由晶片中心向四周散开，进而对晶片表面进行清洗。但清洗后常会在晶片中心的金属层间介质上造成缺陷。专利技术人研究发现:现有技术中之所以将去离子水喷到晶片的中心，是为了使得所述去离子水能够从晶片中心均匀地向四周散开，进而可对晶片表面进行均匀清洗。但由此产生的严重问题为:当去离子水以水柱的形式被喷到晶片上时，所述水柱会与晶片上水柱所接触到的金属层间介质之间产生静电荷，虽然清洗过程中晶片不断旋转，但是晶片中心位置却没有发生变化，从而使得被喷到晶片上的水柱与晶片上金属层间介质之间的接触位置没有发生变化，因此，所述水柱与晶片中心位置处的金属层间介质之间产生的静电荷将不断累积，当所述静电荷累积到一定程度时，其将会穿透所述晶片中心位置处的金属层间介质，进而在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷。为了解决清洗后晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，本专利技术提出了一种，该方法在清洗过程中使由喷水装置所产生的水柱不被喷到晶片的中心，而是喷到晶片上中心以外的区域，这样随着晶片的旋转，水柱与晶片上的金属层间介质之间的接触位置将不再是一个固定的点，而是一个圆，该圆上的点在与所述水柱接触的过程中均会产生静电荷，但这些静电荷不会被累积到一起，从而可避免因静电荷累积而导致在金属层间介质上产生缺陷的问题。采用此方法虽然对清洗过程中的均匀性会有一定的影响，但通过增加清洗时间同样可以将晶片表面的颗粒或杂质清洗干净，重要的是，采用此方法可避免在晶片上的金属层间介质上形成缺陷，进而可减小器件的失效率。下面结合附图详细描述本专利技术所提供的。参考图4，图4为本专利技术实施例所提供的一种的流程示意图，该方法具体包括如下步骤:步骤S1:提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质。晶片，也可称衬底(一般为硅衬底)，在半导体器件制造过程中，首先在晶片上形成了晶体管、电容或电阻等相应器件，之后在所述相应器件上形成了金属层，并在金属层上形成了金属层间介质(一般为氧化娃)。步骤S2:将所述晶片置于旋转的转盘上。步骤S3:采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。所述喷水装置包括与水源相连的喷水管(或称喷枪)，所述喷水管上设置有喷嘴，水源中的去离子水沿喷水管并经喷嘴以水柱的形式被喷到晶片上，参考图5，所述水柱被喷到晶片上的位置不再是传统工艺中的晶片中心，而是在偏离晶片中心的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片清洗方法，其特征在于，包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。

【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括: 提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质； 将所述晶片置于旋转的转盘上； 采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水柱与晶片接触的位置在由距离晶片中心分别为第二半径和第三半径的同心圆所构成的圆环内；其中，所述第三半径小于第二半径，所述第二半径不大于第一半径。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，简志宏，张蔚，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：