晶片清洗方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种晶片清洗方法，该方法包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。采用本发明专利技术所提供的晶片清洗方法，可解决现有技术中对晶片清洗后易于在晶片中心位置处的金属层间介质上产生缺陷的问题，从而可减小器件的失效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
半导体器件制造过程可分为前段工艺和后段工艺，前段工艺中主要在晶片上形成晶体管、电容或电阻等相应器件，后段工艺主要将前段工艺中形成的器件通过金属相连，即主要形成金属互连。在后段工艺中形成金属互连时，常需要在晶片上形成金属层以及在相邻金属层之间形成金属层间介质(Inter Metal Dielectric, IMD)。所述金属层间介质一般是在特定的腔体内通过化学气相沉积工艺而形成的，在形成金属层间介质后，所述金属层间介质上难免会残留一些因腔体污染而造成的颗粒或杂质，为了去除所述颗粒或杂质，在形成金属层间介质后常采用去离子水对晶片表面进行清洗。参考图1，图1为采用去离子水清洗晶片过程的照片示意图，在清洗过程中，晶片被放置在特定的转盘上，并随着转盘的旋转而旋转，喷水装置将去离子水以水柱的形式喷到晶片的中心，喷到晶片中心的去离子水在晶片的旋转下迅速向四周散开，进而可将晶片表面的颗粒或杂质清洗干净。但是，采用现有技术在对晶片进行清洗之后，晶片中心位置处常会因水柱与金属层间介质之间形成的静电荷而对金属层间介质造成缺陷，参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片清洗方法，其特征在于，包括：提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质；将所述晶片置于旋转的转盘上；采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。

【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗方法，其特征在于，包括: 提供晶片，所述晶片上具有金属层间介质； 将所述晶片置于旋转的转盘上； 采用喷水装置将去离子水以水柱的形式喷在晶片上，且所述水柱与晶片接触的位置在距离晶片中心为第一半径的圆内，但水柱与晶片接触的位置不在晶片中心；所述第一半径小于晶片半径。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水柱与晶片接触的位置在由距离晶片中心分别为第二半径和第三半径的同心圆所构成的圆环内；其中，所述第三半径小于第二半径，所述第二半径不大于第一半径。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，简志宏，张蔚，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：