半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中并贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种提高焊球与柱状电极结合力的半导体器件。
技术介绍
芯片级封装(Chip Scale Package, CSP)作为最新一代的芯片封装技术，CSP封装的产品具有体积小、电性能好和热性能好等优点。圆片级CSP (WCSP)作为芯片级封装的一种，是先在圆片上进行封装，并以圆片的形式进行测试，老化筛选，其后再将圆片分割成单一的CSP电路。公开号为CNl630029A的中国专利中公开了一种圆片级CSP结构的半导体器件，请参考图1，包括:半导体基底11，所述半导体基底11上具有焊盘12 ;位于所述半导体基底11表面的钝化层14，所述钝化 层14具有暴露焊盘12表面的开口 ；位于部分钝化层14表面以及开口内的再布线层16，再布线层16与焊盘12相连接；位于所述开口外的再布线层16表面的柱状电极17 ;覆盖所述再布线层16和部分钝化层14表面的绝缘层20，绝缘层20的表面与柱状电极17的表面平齐；位于柱状电极17表面的焊球21。现有的半导体器件中的焊球容易从柱状电极的表面脱落。
技术实现思路
本技术解决的问题是提高了一种半导体器件，提高了焊球与柱状电极之间结为解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：?半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；?位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；?位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；?位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括: 半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘； 位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开Π ； 位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面； 位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量为I个，所述柱状电极的通孔的半径与本体的宽度的比值为1/1(Γ10/1。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述本体的截面形状为圆环或中空的多边形。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述柱状电极的本体上具有若干呈等角度分布的刻缝，所述刻缝将本体分成若干呈等角度分布的独立的子本体。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述子本体的截面图形为圆环的一段。6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述填充部还填充满子本体之间的1刻缝。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于所述本体中的通孔的数量大于I个，所述通孔在本体中独立分布。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔在本体中呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布或者不规则分布。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一绝缘层的表面与柱状电极的顶部表面平齐，所述第一开口的宽度等于柱状电极的直径，第一开口的侧壁与柱状电极的外侧表面接触。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一绝缘层的表面低于柱状电极的顶部表面，所述第一开口的宽度大于柱状电极的直径。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲珉，石磊，高国华，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：