斜坡堆栈芯片封装中的光学通信制造技术

描述了一种斜坡堆栈芯片封装。该芯片封装包括半导体管芯或芯片的垂直堆栈，所述半导体管芯或芯片在水平方向上彼此偏移从而定义阶式平台。被定位为基本上平行于阶式平台的高带宽斜坡组件机械地耦合到半导体管芯。此外，斜坡组件包括传递光学信号的光学波导，以及将光学信号光学地耦合到半导体管芯中的一个半导体管芯的光学耦合组件，从而促进光学信号在半导体管芯与斜坡组件之间的高带宽通信。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】斜坡堆栈芯片封装中的光学通信
概括地说，本公开涉及半导体芯片封装的设计。更具体而言，本公开涉及一种半导体芯片封装，其包括布置在堆栈中的一组芯片以及与堆栈成一角度的斜坡组件，并且利用半导体管芯（die）传送光学信号。
技术介绍
与连接到印刷电路板的传统的单独封装的芯片相比，包括堆叠的半导体芯片的芯片封装可以提供明显更高的性能。这些芯片封装还提供了某些优点，例如，在堆栈中的不同芯片上使用不同的工艺、将更高密度的逻辑和存储器相结合以及使用更少的功率来传输数据的能力。例如，实现动态随机存取存储器（DRAM）的芯片堆栈可以在基底芯片中使用高金属层计数、高性能的逻辑工艺来实现输入/输出（I/O）和控制器功能，并且对于剩余的堆栈，可以使用一组更低的金属层计数、DRAM专门处理的芯片。通过这种方式，组合的这组芯片可以具有与以下各项相比更高的性能和更低的成本：包括使用DRAM工艺制造的I/O和控制器功能的单个芯片、包括使用逻辑工艺制造的存储器电路的单个芯片；或者通过尝试使用单个工艺来制造逻辑和存储器物理结构而构造的系统。然而，可能难以获得堆叠的半导体芯片之间的低成本、高性能（例如，高带宽）的互连。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.25 US 12/868,5771.一种芯片封装，包括：一组半导体管芯，其在垂直方向上被布置在垂直堆栈中，所述垂直方向基本上垂直于所述垂直堆栈中的第一半导体管芯，其中，在所述第一半导体管芯之后的每一个半导体管芯在水平方向上与所述垂直堆栈中的紧前的半导体管芯偏移一偏移值，从而在所述垂直堆栈的一侧处定义阶式平台；以及单个斜坡组件，其刚性机械地耦合到所述半导体管芯，其中，所述斜坡组件位于所述垂直堆栈的所述一侧上；其中，所述斜坡组件基本上平行于沿着所述阶式平台的方向，所述方向在所述水平方向与所述垂直方向之间；并且其中，所述斜坡组件包括：光学波导，其被配置为传递光学信号；以及光学耦合组件，其被配置为将光学信号光学地耦合到所述一组半导体管芯中的半导体管芯。2.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述斜坡组件包括包含所述光学耦合组件的一组光学耦合组件；并且其中，所述一组光学耦合组件中的给定的光学耦合组件被配置为将所述光学信号光学地耦合到包括所述半导体管芯的所述一组半导体管芯中的给定的半导体管芯。3.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述光学波导被配置为在沿着所述阶式平台的所述方向上传递所述光学信号；并且其中，所述光学耦合组件将所述光学信号重新导向所述半导体管芯的平面中。4.根据权利要求3所述的芯片封装，其中，所述光学信号是通过所述半导体管芯的边缘光学地耦合到所述半导体管芯的。5.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述光学波导被配置为在沿着所述阶式平台的所述方向上传递所述光学信号；并且其中，所述光学耦合组件沿着法线将所述光学信号重新导向所述半导体管芯的表面。6.根据权利要求5所述的芯片封装，其中，在所述半导体管芯的所述表面上的位置处而不是在所述半导体管芯的边缘处将所述光学信号光学地耦合到所述半导体管芯。7.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述一组半导体管芯中的一对半导体管芯被配置为在不使用所述斜坡组件的情况下将所述光学信号从该对半导体管芯中的第一半导体管芯光学地耦合到该对半导体管芯中的第二半导体管芯。8.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述斜坡组件被制造在除了半导体以外的材料上。9.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述斜坡组件是另一个半导体管芯。10.根据权利要求1所述的芯片封装，其中，所述斜坡组件是使用以下各项中的至少一项耦合到所述半导体管芯中的每一个半导体管芯的：焊料、超微弹片和各向异性的导电膜。11.一种电子设备，包括：芯片封装，其中，所述芯片封装包括：一组半导体管芯，其在垂直方向上被布置在垂直堆栈中，所述垂直方向基本上垂直于所述垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·哈拉达，D·C·道格拉斯，R·J·都罗斯特，
申请(专利权)人：甲骨文国际公司，
类型：
国别省市：