相变存储器中的单元状态确定制造技术

本发明专利技术提供用于确定相变存储器单元的状态的方法和装置。对单元进行多个测量，测量依赖于单元的亚阈值电流比对电压特性。处理测量以获得依赖于电流比对电压特性的斜率的度量。然后根据不同于绝对单元电阻、基本上不受漂移影响的这一度量确定单元的状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要地涉及相变存储器，并且更具体地涉及用于确定相变存储器单元的状态的方法和装置。
技术介绍
相变存储器(PCM)是利用某些硫族化物材料在具有不同导电率的至少两个状态之间的可逆切换的新型非易失性固态存储器技术。PCM快速、具有很好留置和耐久属性并且已经表明升级至将来光刻节点。出于这些原因而认为它有潜力备选或者补充如今的主流存储器和存储应用中的闪存。在商业上可用的PCM器件中，可以通过施加热将基本存储单位(“单元”)设置成晶态和非晶态这两个状态之一。在代表二进制O的非晶态状态中，单元的电阻高。硫族化物材料在加热至它的结晶点以上的温度然后冷却时被变换成导电晶态状态。这一低阻状态代表二进制I。如果然后将单元加热至硫族化物熔点以上的高温，则硫族化物材料在迅速冷却时恢复至它的非晶态状态。为了向PCM单元写入数据，向单元施加电压或者电流脉冲以将硫族化物材料加热至适当温度以在冷却之后引起希望的单元状态。为了读取单元，使用单元电阻作为度量来确定单元的状态。通过将单元偏置于某一恒定电压电平并且测量流过它的电流或者通过传递恒定电流并且测量跨越单元形成的电压来测量单元电阻。在单元的电流比电压特性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 EP 10174613.91.一种用于确定相变存储器单元的状态的方法，所述方法包括: 进行依赖于所述单元的亚阈值电流比对电压特性的多个测量； 处理所述测量以获得依赖于所述电流比对电压特性的斜率的度量；并且 根据所述度量确定所述单元的状态。2.如权利要求1所述的方法，用于确定s级相变存储器单元的状态，其中s> 2，所述方法包括通过将所述度量与指示所述单元的所述s级的多个参考值进行比较来确定所述单元的状态。3.如权利要求1或者2所述的方法，包括在不同单元偏置电压进行单元电流的多个测量，其中所述度量依赖于在所述不同偏置电压处的所测量的单元电流的函数的差值。4.如权利要求1或者2所述的方法，包括针对所述不同的施加单元电流进行跨越所述单元的电压的多个测量，其中所述度量依赖于在所述不同的施加电流处的所测量的单元电压的函数的差值。5.如权利要求1或者2所述的方法，包括在所述电流比对电压特性上的不同点处进行单元电阻的多个测量，其中所述度量依赖于在所述不同点处的所测量的单元电阻的函数的差值。6.如权利要求3至5中的任一权利要求所述的方法，其中所述测量值的函数包括该值的对数。7.如任一前述权利要求所述的方法，其中所述度量依赖于所述单元中的有效非晶态厚度(Ua)。8.如权利要求7所述的方法，其中所述度量包括所述单元中的有效非晶态厚度(Ua)的估计。9.如任一前述权利要求所述的方法，进行多于两个的所述测量，其中所述处理包括平均化过...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·S·埃里弗塞里乌，A·潘塔齐，N·帕潘德雷乌，C·伯津迪斯，A·塞巴斯蒂安，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：