一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法技术

技术编号:8654875 阅读:207 留言:0更新日期:2013-05-01 22:27
本发明专利技术公开了一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法,属于电子元器件技术领域。包括下述步骤:在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极,作为所述探测器的公共电极和红外吸收层;在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极,作为所述探测器的衬底;将一个输入电极接地,并对另一个输入电极施加方波偏压。本发明专利技术可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下,不会影响器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件
,特别涉及一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法
技术介绍
钛酸锶钡((Ba,Sr)TiO3,简称BST)热释电薄膜是铁电材料中的一种,具有独特的光学和电学特性,如压电效应、热释电效应,光电效应,非线性光学效应以及铁电性,在微电子学、集成光学和光电子学等高
中具有广泛的应用前景。BST热释电薄膜因其具有优异的电、光等特性,已被应用于非制冷红外探测器件中。BST热释电薄膜工作在直流偏置电场下,不可避免的要产生漏电流,它是BST热释电红外探测器的主要噪声之一,尤其是BST热释电薄膜的漏电流随加偏置电压时间的增加而增加的介电击穿(Time DependentDielectric Breakdown,简称TDDB)现象,会严重影响探测器的可靠性。TDDB现象如图1所示,随着对BST热释电薄膜加偏置电压时间的增加,漏电流有不同的变化规律。在图中有两个漏电流的突变点,分别记为h和h。在h之前,漏电流随时间的增加而减小,在h时达到最小值;然后,漏电流随时间的增加而增大,到&时漏电流突然急剧增加。在h附近,通过其他手段,可以使BST热释电薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法,其特征在于,包括下述步骤:在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极,作为所述探测器的公共电极和红外吸收层;在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极,作为所述探测器的衬底;将一个输入电极接地,并对另一个输入电极施加方波偏压。

【技术特征摘要】
1.一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法,其特征在于,包括下述步骤:在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极,作为所述探测器的公共电极和红外吸收层;在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极,作为所述探测器的衬底;将一个输入电极接地,并对另一个输入电极施加方波偏压。2.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:王晓川张欣翼许丽娜
申请(专利权)人:四川汇源科技发展股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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