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本发明公开了一种用于BST热释电红外探测器的介电击穿调控方法，属于电子元器件技术领域。包括下述步骤：在BST热释电薄膜的顶端设置有上电极，作为所述探测器的公共电极和红外吸收层；在BST热释电薄膜的低端设置有两个输入电极，作为所述探测器的衬底...
该专利属于四川汇源科技发展股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川汇源科技发展股份有限公司授权不得商用。

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