一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片制造技术

一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基，在外围支撑硅基的背面配置有玻璃衬底，外围支撑硅基的背面与玻璃衬底进行键合连接，中央硅膜位于外围支撑硅基的中间，中央硅膜的一边和外围支撑硅基之间通过一硅悬臂梁相连，硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条，四个压阻条连接构成惠斯通电桥，中央硅膜与硅悬臂梁组成的梁膜结构构成传感器测量部位，当一定速度流体作用于传感器芯片时，将有惯性力作用于中央硅膜，进而使得梁膜结构发生变形，压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化，惠斯通电桥失去平衡，输出一个与外界流量相对应的电信号，从而实现传感器芯片对流量的测量，具有体积小，重量小，响应速度快和高灵敏度的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微机械电子
，具体涉及一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片。
技术介绍
流量测量是工业生产和科研工作的重要的检测参数。近年来，随着对微电子机械系统(MEMS)的深入研究和取得的进展，传统的工业和流体力学研究的流量传感器向高集成度，微型化，高精度，高可靠性方向发展。MEMS流量传感器按测量原理主要可以分为热式和非热式两种，经过30年的发展，热式MEMS流量传感器已经占据了流量测量的主流位置。但是，热式微流量传感器也有其固有的缺点。例如功耗大、衬底的热传导导致测量误差、零点随环境温度漂移、响应时间长等。另外，因为要对流体加热，所以就限制了热式微流量传感器在生物技术方面的应用。目前，非热式流量传感器研究相对较少，现有的非热式流量存在难以兼顾全量程范围内的灵敏度、普遍较难计算、制造过程难以与标准CMOS工艺兼容等问题。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片，具有体积小，重量小，响应速度快和高灵敏度的优点。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为:一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基3，在外围支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基（3），其特征在于：在外围支撑硅基（3）的背面配置有玻璃衬底（4），外围支撑硅基（3）的背面与玻璃衬底（4）进行键合连接，中央硅膜（1）位于外围支撑硅基（3）的中间，中央硅膜（1）的一边和外围支撑硅基（3）之间通过一硅悬臂梁（2）相连，硅悬臂梁（2）上的中间配置有四个压阻条（5），四个压阻条（5）连接构成惠斯通电桥，中央硅膜（1）与硅悬臂梁（2）组成的梁膜结构构成传感器测量部位；所述的中央硅膜（1）与外围支撑硅基（3）之间存在150?170m的间隙以使中央质硅膜（1）悬空，中央硅膜（1）的厚度与硅悬臂梁（2）的厚度相同；所述的中央硅膜（1）、...

【技术特征摘要】
1.一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片，包括外围支撑硅基(3)，其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4)，外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接，中央娃膜(I)位于外围支撑娃基(3)的中间，中央娃膜(I)的一边和外围支撑娃基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连，硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5)，四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥，中央硅膜(I)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位； 所述的中央硅膜(I)与外围支撑硅基(3 )之间存在150-170m的间隙以使中央...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉龙，陈佩，李一瑶，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：