【技术实现步骤摘要】
本专利技术概念的实施例涉及接口电路,并且更具体地,涉及使用N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管作为上拉驱动器(pul 1-up driver)的输出驱动器、具有该输出驱动器的设备、和/或接地端接(ground termination)。
技术介绍
传统的输出驱动器串联连接在电源线(power line)和地线(ground line)之间,并且包括用作上拉驱动器的PMOS晶体管和用作下拉驱动器(pull-down driver)的NMOS晶体管。由于P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的载流子迁移率(carrier mobility)(例如空穴迁移率)小于NMOS晶体管的载流子迁移率(例如电子迁移率),所以PMOS晶体管的大小可被设计为是NMOS晶体管的大小的2. 5倍。驱动PMOS晶体管的第一预驱动器的大小被设计为比驱动NMOS晶体管的第二预驱动器的大小更大。因此,在第一预驱动器中流动的电流量大于在第二预驱动器中流动的电流量。另夕卜,当电源电压被用作从输出驱动器传送输出信号的信道的端接(termination)时,由于NMOS晶体管在线性区域中操作,为了进行期望的数据信号传送(data signaling),应当增加在NMOS晶体管中流动的电流。
技术实现思路
本专利技术的实施例关注一种集成电路,该集成电路包括输出驱动器,该输出驱动器包括输出端和接收电路,该接收电路包括连接在输出端和地之间的端接电阻器。输出驱动器包括第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管,第一 NMOS晶体管被配置为响应于上拉信号将输出端的电压上拉到上拉电压,而第二 NMOS晶体管 ...
【技术保护点】
一种集成电路(IC),包括:输出驱动器,包括:输出端;第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,配置为响应于上拉信号,将输出端的电压上拉到上拉电压;第二NMOS晶体管,配置为响应于下拉信号,将输出端的电压下拉到地电压;以及接收电路,包括连接在输出端和地之间的端接电阻器。
【技术特征摘要】
2012.02.22 KR 10-2012-0017823;2011.10.24 US 61/551.一种集成电路(IC),包括 输出驱动器,包括 输出端; 第一 N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,配置为响应于上拉信号,将输出端的电压上拉到上拉电压; 第二 NMOS晶体管,配置为响应于下拉信号,将输出端的电压下拉到地电压;以及 接收电路,包括连接在输出端和地之间的端接电阻器。2.如权利要求1所述的1C,其中,所述接收电路包括连接所述端接电阻器和地的开关,该开关响应于控制信号而激活。3.如权利要求1所述的1C,还包括 预驱动器电路,配置为响应于启用信号和响应于输出数据而输出上拉信号和下拉信号,所述上拉信号和下拉信号彼此互补; 感测放大器,配置为响应于时钟信号而感测和放大通过所述输出端输入的输入数据;以及 控制电路,配置为解码命令,并基于解码结果控制激活启用信号和传输时钟信号之一。4.一种系统,包括 第一数据处理电路,包括具有连接到信道的第一输出端的第一输出驱动器,和 第二数据处理电路,配置为经由所述信道与第一数据处理电路进行通信, 所述第一输出驱动器包括 第一 N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,配置为响应于第一上拉信号,将第一输出端的电压上拉到第一数据处理电路的上拉电压,和 第二 NMOS晶体管,配置为响应于第一下拉信号,将第一输出端的电压下拉到第一数据处理电路的地电压, 所述第二数据处理电路包括连接在所述信道和第二数据处理电路的地之间的第一端接电阻器。5.如权利要求4所述的系统,其中 所述第一数据处理电路包括连接在所述信道和第一数据处理电路的地之间的第二端接电阻器, 所述第二数据处理电路还包括具有连接到所述信道的第二输出端的第二输出驱动器, 所述第二输出驱动器包括, 第三NMOS晶体管,配置为响应于第二上拉信号,将第二输出端的电压上拉到第二数据处理电路的上拉电压;以及 第四NMOS晶体管,配置为响应于第二下拉信号,将第二输出端的电压下拉到第二数据处理电路的地电压。6.如权利要求5所述的系统,其中 所述第一数据处理电路包括 第一预驱动器电路,配置为响应于第一输出数据而生成第一上拉信号和第一下拉信号,第一上拉信号和第一下拉信号彼此互补;以及 第一感测放大器,配置为响应于第一时钟信号感测和放大通过第一输出端输入的第一输入数据,并且 所述第二数据处理电路包括 第二预驱动器电路,配置为响应于第二输出数据而生成第二上拉信号和第二下拉信号,第二上拉信号和第二下拉信号彼此互补;以及 第二感测放大器,配置为响应于第二时钟信号感测和放大通过第二输出端输入的第二输入数据。7.如权利要求6所述的系统,其中,所述信...
【专利技术属性】
技术研发人员:文炳模,裵容撤,安民守,全英珍,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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