一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺制造技术

技术编号:8627195 阅读:167 留言:0更新日期:2013-04-26 00:37
本发明专利技术涉及一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,属于集成电路封装技术领域,在框架上电感和引脚直接连接,芯片和电感用绝缘胶相连,后将芯片用金线和引脚连接,从而形成电路整体,可以有效缩小体积,减轻重量并提高封装件可靠性、抗震能力强,焊点缺陷率低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,属于集成电路封装

技术介绍
电子电路表面组装技术(Surface Mount Technology, SMT),称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(简称SMC/SMD,中文称片状元器件)安装在印制电路板(Printed Circuit Board, PCB)的表面或其它基板的表面上,通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。组装密度高、电子产品体积小、重量轻,贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右,一般采用SMT之后,电子产品体积缩小40%飞0%,重量减轻60°/Γ80%。可靠性高、抗震能力强。焊点缺陷率低。高频特性好。减少了电磁和射频干扰。易于实现自动化,提高生产效率。降低成本达30°/Γ50%。节省材料、能源、设备、人力、时间等。QFN (四面扁平无引脚封装)及DFN (双扁平无引脚封装)封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积,高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。我们知道QFN/DFN封装有效地利用了引线脚的封装空间,从而大幅度地提高了封装效率。而随着电子 产品功能日趋更加完整,所采用的集成电路(IC)已无穿孔元件,特别是大规模、高集成1C,不得不采用表面贴片元件。而随着产品批量化,生产自动化,厂方要以低成本高产量,出产优质产品以迎合顾客需求及加强市场竞争力。由于技术限制,目前SMT技术只用于基板类封装产品,我司现使用一种新的生产方法,使得框架产品实现SMT技术。
技术实现思路
基于上述问题,本专利技术采用一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,在框架上电感和引脚直接连接,芯片和电感用绝缘胶相连,后将芯片用金线和引脚连接,从而形成电路整体,可以有效缩小体积,减轻重量并提高封装件可靠性、抗震能力强。焊点缺陷率低。本专利技术采用的技术方案一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,按照下面步骤进行 第一步、方形电感引脚沾锡,并与引线框架相连; 第二步、减薄、划片晶圆厚度50 μ m 200 μ m,厚度在150 μ m以上晶圆同普通QFN划片工艺;厚度在150 μ m以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺; 第三步、上芯采用绝缘胶将芯片与方形电感相连;第四步、压焊压焊同常规QFN/DFN工艺相同; 第五步、塑封,后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。本专利技术的有益效果在框架上电感和引脚直接连接,芯片和电感用绝缘胶相连,后将芯片用金线和引脚连接,从而形成电路整体,可以有效缩小体积,减轻重量并提高封装件可靠性、抗震能力强,焊点缺陷率低。附图说明图1引线框架剖面 图2粘接电感后广品首I]面 图3上芯后产品剖面 图4压焊后产品剖面 图5塑封后产品剖面图; 图6产品成品剖面 图中I一弓丨线框架、2—绝缘胶、3—芯片、4一键合线、5—方形电感、6—塑封体。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明,以方便技术人员理解。如图1-6所示一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,按照下面步骤进行; 实施例1 第一步、方形电感5引脚沾锡,并与引线框架I相连; 第二步、减薄、划片晶圆厚度50 μ m,厚度在150 μ m以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺; 第三步、上芯采用绝缘胶2将芯片与方形电感5相连; 第四步、压焊压焊同常规QFN/DFN工艺相同; 第五步、塑封,后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。实施例2 第一步、方形电感5引脚沾锡,并与引线框架I相连; 第二步、减薄、划片晶圆厚度130 μ m,厚度在150 μ m以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺; 第三步、上芯采用绝缘胶2将芯片与方形电感5相连; 第四步、压焊压焊同常规QFN/DFN工艺相同; 第五步、塑封,后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。实施例3 第一步、方形电感5引脚沾锡,并与引线框架I相连; 第二步、减薄、划片减薄厚度200 μ m,厚度在150 μ m以上晶圆同普通QFN划片工艺;第三步、上芯采用绝缘胶2将芯片与方形电感5相连; 第四步、压焊压焊同常规QFN/DFN工艺相同; 第五步、塑封,后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。本专利技术通过具 体实施过程进行说明的,在不脱离本专利技术范围的情况下,还可以对本专利技术专利进行各种变换及等同代替,因此,本专利技术专利不局限于所公开的具体实施过程,而应当包括落入本专利技术专利权利要求范围内的全部实施方案。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,其特征在于:按照下面步骤进行:第一步、方形电感引脚沾锡,并与引线框架相连;第二步、减薄、划片:晶圆厚度50μm~200μm,厚度在150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺;厚度在150μm以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺;第三步、上芯:采用绝缘胶将芯片与方形电感相连;第四步、压焊:压焊同常规QFN/DFN工艺相同;第五步、塑封,后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN/DFN工艺相同。

【技术特征摘要】
1. 一种基于框架可实现SMT的扁平封装件制作工艺,其特征在于按照下面步骤进行 第一步、方形电感引脚沾锡,并与引线框架相连; 第二步、减薄、划片晶圆厚度50 μ m 200 μ m,厚度在150 μ m以上晶圆同普通QFN划片工艺;厚度在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李万霞谢建友崔梦魏海东李站
申请(专利权)人:华天科技西安有限公司
类型:发明
国别省市:

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