一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明专利技术先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先棕化后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，使用干膜替代湿膜，在降低了工艺难度的同时提高了产品的封装良率，方法易行，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装
技术背景集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪 90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装(即 AAQFN)是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB 的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、 电性能以及共面性好等特点。AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。本专利技术采用的技术方案一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行第一步、减薄减薄厚度为50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O.1Oum O. 30um ；第二步、划片厚度在150 μ m以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯采用粘片胶上芯；第四步、压焊；第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封；第六步、后固化；第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、棕化、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。所述的步骤中第三步可采用胶膜片(DAF)代替粘片胶；所述的步骤中第四步、第五步、第六步、第九步均与常规AAQFN工艺相同。本专利技术的有益效果先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先棕化后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，使用干膜替代湿膜，在降低了工艺难度的同时提高了产品的封装良率，方法易行，生产效率高。附图说明图1引线框架剖面图；图2上芯后广品首I]面图；图3压焊后产品剖面图；图4一次塑封后产品剖面图；图5框架背面蚀刻后产品剖面图；图6棕化刷绿漆后产品剖面图。图中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-塑封体、6-蚀刻凹槽。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明，以方便技术人员理解。如图1-6所示采用本专利技术所述的方法用于单芯片封装，产品包括引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、塑封体5、蚀刻凹槽6 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连，键合线4直接从芯片3打到引线框架I上，引线框架I上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片 3，芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4，塑封体5包围了引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、蚀刻凹槽6构成了电路的整体，塑封体5对芯片3的键合线4起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线4、引线框架I构成了电路的电源和信号通道。一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行 实施例1第一步、减薄减薄厚度为100 μ m,粗糙度Ra O.1Oum ；第二步、划片采用厚度为IOOym的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯采用粘片胶2上芯；第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；第七步、薄型框架背面蚀 刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、棕化、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例2第一步、减薄减薄厚度为130 μ m,粗糙度Ra O. 20um ；第二步、划片采用厚度为130 μ m的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯采用粘片胶2上芯；第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、棕化、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例3第一步、减薄减薄厚度为170 μ m,粗糙度Ra O. 30um ；第二步、划片采用厚度为170 μ m的晶圆，同普通QFN划片工艺相同；第三步、上芯采用粘片胶2上芯；第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；第六步、后固化与常规AAQFN工艺相同；第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、棕化、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。本专利技术的有益效果先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，再用先棕化后刷绿漆的方法填充，并能在一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，使用干膜替代湿膜，在降低了工艺难度的同时提高了产品的封装良率，方法易行，生产效率高。本专利技术通过具体实施过程进行说明的，在不脱离本专利技术范围的情况下，还可以对本专利技术专利进行各种变换及等同代替，因此，本专利技术专利 不局限于所公开的具体实施过程， 而应当包括落入本专利技术专利权利要求范围内的全部实施方案。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，其特征在于：具体按照以下步骤进行：第一步、减薄：减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra?0.10um～0.30um；第二步、划片：150μm以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；第三步、上芯：采用粘片胶上芯；第四步、压焊；第五步、一次塑封：用传统塑封料进行塑封；第六步、后固化；第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽：使用薄型框架，用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；第八步、棕化、刷绿漆；第九步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。

【技术特征摘要】
1.一种基于先棕化后刷绿漆的扁平封装件制作工艺，其特征在于具体按照以下步骤进行 第一步、减薄减薄厚度为50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O.1Oum O. 30um ； 第二步、划片150 μ m以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺； 第三步、上芯采用粘片胶上芯； 第四步、压焊； 第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封； 第六步、后固化； 第七步、薄型框架背面蚀刻凹槽使用薄型框...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗育光，朱文辉，谌世广，王虎，马晓波，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：