用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置，该方法包括：将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。本发明专利技术得到的底部填充的气泡和空洞少，提高了探测器的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电领域，尤其涉及一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置。
技术介绍
为了克服百万像素碲镉汞混成芯片的热膨胀系数差异，通常在红外焦平面探测器和读出电路芯片进行底部填充，来削弱红外焦平面探测器和读出电路芯片的热失配应力、提闻混成芯片可罪性。但是现有的百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充的方法中的胶水流动速度缓慢，且在流动过程中更容易产生空洞气泡等缺陷，降低了百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置，用以进一步提高百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，该方法包括将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；其中，所述填充胶 水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8 12%。优选地，所述三氧化二铝的直径为5 10纳米。优选地，所述预定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，其特征在于，将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%。

【技术特征摘要】
1.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法，其特征在于， 将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理； 对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充； 其中，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8 12%。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氧化二铝的直径为5 10纳米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定温度为6(Γ100度。4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶的步骤具体包括 沿所述读出电路芯片和所述探测器芯片的一个侧边、相邻的两个侧边或者是相邻的三个侧边进行喷射点胶。5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述喷射点胶的点胶总量为3飞毫克，共分4飞次进行，每次点胶的间隔为3(Γ120秒。6.一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，其特征在于，包括 混料器，用于将...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢珩，王宪谋，王骏，刘海龙，张鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：