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本发明公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置，该方法包括：将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；对读出电路芯片上进行加热，当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充；...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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