本发明专利技术提供了一种在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路及其控制方法。该电路包括：第一移位寄存器，其输出端用于输出一第一扫描信号；第二移位寄存器，其第二输入端电性连接至第一移位寄存器的输出端，其输出端用于输出一第二扫描信号；以及第三移位寄存器，其第二和第三输入端分别电性连接至第一和第二移位寄存器各自的输出端，其输出端用于输出一第三扫描信号。移位寄存电路接收第一和第二控制信号，以便在2D模式与3D模式之间进行切换。采用本发明专利技术，通过移位寄存电路所接收的两路控制信号配合选择不同的信号传递方式，以便在不同的显示模式间切换。此外，该移位寄存架构还可避免漏电情形的产生，提升运行稳定性和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种移位寄存电路，尤其涉及一种在液晶显示器中。
技术介绍
当前，在主动式矩阵液晶显示器(ActiveMatrix Liquid Crystal Display, AMIXD)中，每个像素具有一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)，该薄膜晶体管的栅极电性连接至水平方向的扫描线(Scan Line),漏极电性连接至垂直方向的数据线(Data Line)，源极则电性连接至像素电极(诸如氧化铟锡或氧化铟锌)。具体地，在该像素结构中，由于同一扫描线往往对应于多个像素，于水平方向的某一扫描线上施加足够的扫描电压，就会使该条扫描线上的所有TFT打开，此时，对应的像素电极经由薄膜晶体管的源极和漏极从而与垂直方向的数据线相耦接，进而将数据线的像素电压信号写入像素中，以便控制不同液晶的透光度，达到控制色彩的效果。在一些AMIXD中，无论是用于打开薄膜晶体管的栅驱动器(Gate Driver)，还是用于驱动像素电压信号的源驱动器(Source Driver)，它们主要是由液晶面板外黏接IC来完成，使用的是CMOS制程，不但浪费成本，而且还增加了制程工艺的复杂度。为了整合产品的驱动部分，降低成本，已开始尝试直接将栅驱动器的移位寄存器制作于玻璃基板上，即GOA 技术(Gate driver On Array,阵列基板行驱动技术)，以代替由外接娃芯片制作的驱动芯片。该GOA技术的应用由于能够直接做在面板周围，可减少制程工艺，提高TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的面板集成度,使液晶面板更加薄型化。此外，液晶显示器的要求规格越来越趋向于多元化，其不仅追求较高的扫描频率， 而且还期望面板可以在2D显示模式(也称为平面显示模式)和3D显示模式(也称为立体显示模式)间进行切换。然而，移位寄存电路的传递架构也必须进行对应的调整，例如，在 2D显示模式中，GOA的电路传递架构由当前级G (η)直接传递至其后的下一级G (η+1)，而在 3D显示模式中，由于扫描频率的升高，GOA的电路传递架构由当前级G(η)传递至其后的下二级G(n+2)，而G(n+1)级保持与G(η)级相同的相位。如此一来，在G(η+2)级与G(η)级之间会多出一个高频信号宽度的悬浮期间(floating period),造成漏电问题。有鉴于此，如何设计一种移位寄存电路的改进方案，使其在实现2D模式与3D模式间切换的同时，还可解决上述漏电困扰，提升产品运行时的稳定性和可靠性，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中的GOA电路传递架构所存在的漏电问题，本专利技术提供了一种用于在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路及其控制方法。依据本专利技术的一个方 面，提供了一种用于在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路，包括—第一移位寄存器,包括一输入端和一输出端，其输入端用于接收一第一时钟脉冲信号，其输出端用于输出一第一扫描信号；—第二移位寄存器,包括一第一输入端、一第二输入端和一输出端,其第一输入端用以接收一第二时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至第一移位寄存器的输出端，第二移位寄存器的输出端用于输出一第二扫描信号；以及—第三移位寄存器，包括一第一输入端、一第二输入端、一第三输入端和一输出端，其第一输入端用以接收一第三时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至第一移位寄存器的输出端，其第三输入端电性连接至第二移位寄存器的输出端，其输出端用于输出一第三扫描信号，其中，移位寄存电路还用以接收一第一控制信号和一第二控制信号，藉由第一控制信号和第二控制信号在2D模式与3D模式之间进行切换。优选地，当第一控制信号为高电平且第二控制信号为低电平时，移位寄存电路切换为2D模式；当第一控制信号为低电平且第二控制信号为高电平时，移位寄存电路切换为 3D模式。进一步，高电平对应的电压为30V，低电平对应的电压为-10V。优选地，移位寄存电路还包括一第一薄膜晶体管，其源极电性连接至第η时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；一第二薄膜晶体管，其源极电性连接至第一控制信号，其栅极电性连接至第一薄膜晶体管的漏极；以及一第三薄膜晶体管，其源极和栅极均电性连接至第二薄膜晶体管的漏极，其漏极输出第(η+1)级的输出电压；一第四薄膜晶体管，其源极电性连接至第η时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；以及一第五薄膜晶体管，其源极电性连接至第二控制信号，其栅极经由一电容耦接至第一薄膜晶体管的栅极，其漏极输出第(η+2)级的输出电压，其中，η为自然数。在一实施例中，第η时钟脉冲信号对应的第η级的输出电压等于第(η+1)时钟脉冲信号对应的第(η+1)级的输出电压，第(η+2)级的输出电压保持为零。优选地，移位寄存电路还包括一第一薄膜晶体管，其源极电性连接至第η时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；一第二薄膜晶体管，其源极电性连接至第一控制信号，其栅极电性连接至第一薄膜晶体管的漏极，其漏极输出第(η+2)级的输出电压； 一第三薄膜晶体管，其源极电性连接至第η时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；一第四薄膜晶体管，其源极电性连接至第二控制信号，其栅极经由一电容耦接至第一薄膜晶体管的栅极；以及一第五薄膜晶体管，其源极和栅极均电性连接至第四薄膜晶体管的漏极，其漏极输出第(η+1)级的输出电压，其中，η为自然数。在一实施例中，第η时钟脉冲信号对应的第η级的输出电压等于第(η+2)时钟脉冲信号对应的第(η+2)级的输出电压，第(η+1)级的输出电压保持为零。依据本专利技术的一个方面，提供了一种基于移位寄存电路在2D模式与3D模式之间进行切换的控制方法，包括以下步骤提供一第一、第二和第三 移位寄存器，其中，第二移位寄存器级联至第一移位寄存器的输出端，第三移位寄存器级联至第二移位寄存器的输出端；向第二和第三移位寄存器分别提供一第一控制信号和一第二控制信号；以及将第三移位寄存器级联至第一移位寄存器的输出端，藉由第一控制信号和第二控制信号使移位寄存电路在2D模式与3D模式之间进行切换。优选地，该控制方法还包括向第一、第二和第三移位寄存器分别提供相互紧邻的一第一、第二和第三时钟脉冲信号。优选地，当第一控制信号为高电平且第二控制信号为低电平时，移位寄存电路切换为2D模式；当第一控制信号为低电平且第二控制信号为高电平时，移位寄存电路切换为 3D模式。采用本专利技术的用于在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路及其控制方法，将相互级联的多个移位寄存器的第三移位寄存器的输入端分别电性连接至第一移位寄存器的输出端和第二移位寄存器的输出端，并且通过移位寄存电路所接收的两路控制信号配合选择第一移位寄存器的输出端与第三移位寄存器的输入端或者第二移位寄存器的输出端与第三移位寄存器的输入端的传递方式，以便液晶面板在2D显示模式与3D显示模式之间进行切换。此外，该移位寄存架构还可避免漏电情形的产生，提升了运行时的稳定性和可靠性。附图说明读者在参照附图阅读了本专利技术的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图1示出液晶显示设备采用一 GOA电路架构本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路，其特征在于，所述移位寄存电路包括：一第一移位寄存器，包括一输入端和一输出端，其输入端用于接收一第一时钟脉冲信号，其输出端用于输出一第一扫描信号；一第二移位寄存器，包括一第一输入端、一第二输入端和一输出端，其第一输入端用以接收一第二时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至所述第一移位寄存器的输出端，所述第二移位寄存器的输出端用于输出一第二扫描信号；以及一第三移位寄存器，包括一第一输入端、一第二输入端、一第三输入端和一输出端，其第一输入端用以接收一第三时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至所述第一移位寄存器的输出端，其第三输入端电性连接至所述第二移位寄存器的输出端，其输出端用于输出一第三扫描信号，其中，所述移位寄存电路还用以接收一第一控制信号和一第二控制信号，藉由所述第一控制信号和所述第二控制信号在2D模式与3D模式之间进行切换。
【技术特征摘要】
1.一种用于在2D模式与3D模式之间进行切换的移位寄存电路，其特征在于，所述移位寄存电路包括一第一移位寄存器，包括一输入端和一输出端，其输入端用于接收一第一时钟脉冲信号，其输出端用于输出一第一扫描信号；一第二移位寄存器，包括一第一输入端、一第二输入端和一输出端，其第一输入端用以接收一第二时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至所述第一移位寄存器的输出端，所述第二移位寄存器的输出端用于输出一第二扫描信号；以及一第三移位寄存器，包括一第一输入端、一第二输入端、一第三输入端和一输出端，其第一输入端用以接收一第三时钟脉冲信号，其第二输入端电性连接至所述第一移位寄存器的输出端，其第三输入端电性连接至所述第二移位寄存器的输出端，其输出端用于输出一第三扫描信号，其中，所述移位寄存电路还用以接收一第一控制信号和一第二控制信号，藉由所述第一控制信号和所述第二控制信号在2D模式与3D模式之间进行切换。2.根据权利要求1所述的移位寄存电路，其特征在于，当所述第一控制信号为高电平且所述第二控制信号为低电平时，所述移位寄存电路切换为2D模式；当所述第一控制信号为低电平且所述第二控制信号为高电平时，所述移位寄存电路切换为3D模式。3.根据权利要求2所述的移位寄存电路，其特征在于，所述高电平对应的电压为30V， 所述低电平对应的电压为-10V。4.根据权利要求1所述的移位寄存电路，其特征在于，所述移位寄存电路还包括 一第一薄膜晶体管，其源极电性连接至第n时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；一第二薄膜晶体管，其源极电性连接至所述第一控制信号，其栅极电性连接至所述第一薄膜晶体管的漏极；一第三薄膜晶体管，其源极和栅极均电性连接至所述第二薄膜晶体管的漏极，其漏极输出第(η+1)级的输出电压；一第四薄膜晶体管，其源极电性连接至第η时钟脉冲信号，其栅极电性连接至第η级的输出电压；以及一第五薄膜晶体管，其源极电性连接至所述第二控制信号，其栅极经由一电容耦接至所述第一薄膜晶体管的栅极，其漏极输出第(η+2)级的输出电压，其中，η为自然数。5.根据权利要求4所述的移位寄存电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：林炜力，刘俊欣，董哲维，侯淑方，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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