电子器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有优良的直流重叠特性的电子器件及其制造方法。层叠体（12）通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层（17）而构成。线圈（L）内置于层叠体（12）。通过玻璃扩散，在磁性体层中与非磁性体层（17）相邻的部分（低磁导率部（20））的磁导率（μ2）低于在磁性体层中不与非磁性体层（17）相邻的部分（高磁导率部（19））的磁导率（μ1）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更特定地说，涉及内置有线圈的。
技术介绍
作为现有的电子器件，例如已知有专利文献I所记载的层叠式电感器(以下称为现有的层叠式电感器)。图10是已有层叠式电感器500的剖面结构图。层叠式电感器500具备层叠体502以及线圈504。层叠体502通过层叠多个磁性体层506以及非磁性体层508而构成。线圈504内置于层叠体502，且连接线圈导体以及通孔(via hole)导体而构成。在以上述方式构成的层叠式电感器500中，通过设置非磁性体层508来抑制在层叠体502内产生磁饱和的情况，结果，层叠式电感器500具有优良的直流重叠特性。然而，在层叠式电感器500中，要求得到更优良的直流重叠特性。专利文献1:日本特开2006 - 318946号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种具有优良的直流重叠特性的。 本专利技术的一方式所 涉及的电子器件的特征在于，所述电子器件具备层叠体，该层叠体通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层而构成；以及线圈，该线圈内置于所述层叠体，通过上述玻璃的扩散，在所述磁性体层中与所述非磁性体层相邻的部分的第二磁导率低于在所述磁性体层中不与所述非磁性体层相邻的部分的第一磁导率。本专利技术的其它方式所涉及的电子器件的制造方法的特征在于，所述电子器件的制造方法具备在所述磁性体层上形成所述线圈的线圈导体的工序；在所述磁性体层上形成所述非磁性体层的工序；层叠所述磁性体层从而形成所述层叠体的工序；以及对所述层叠体进行烧制的工序。根据本专利技术，能够得到优良的直流重叠特性。附图说明图1是本专利技术的一实施方式所涉及的电子器件的外观立体图。图2是图1所示的电子器件的层叠体的分解立体图。图3A是图2所示的层叠体的第一磁性体层的分解立体图。图3B是图2所示的层叠体12的第七磁性体层的分解立体图。图3C是图2所示的层叠体12的第十一磁性体层的分解立体图。图4是从箭头的方向观察沿图1的线A — A的电子器件的纵剖面时的图。图5是示出电子器件的B点周边的Si的扩散的图。图6A是示出图4所示的C点周边的图像。图6B是示出图4所示的D点周边的图像。图7是第一变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。图8是第二变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。图9是第三变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。图10是现有的层叠式电感器的剖面结构图。标号说明L…线圈；10、IOa IOc…电子器件；12…层叠体；14a、14b…外部电极；16a 16m…磁性体层；17a 17m、22a 22f、24a 24g…非磁性体层；18a 18g…线圈导体；19a 19m...闻磁导率部；20a 20m、25、26a 26f…低磁导率部。具体实施方式 以下，对本专利技术的实施方式所涉及的进行说明。(电子器件的结构)对本专利技术的一实施方式所涉及的电子器件的结构进行说明。图1是本专利技术的一实施方式所涉及的电子器件10的外观立体图。图2是图1所示的电子器件10的层叠体12的分解立体图。图3A是图2所示的层叠体12的磁性体层16a的分解立体图，图3B是图2所示的层叠体12的磁性体层16g的分解立体图，图3C是图2所示的层叠体12的磁性体层16k的分解立体图。图4是从箭头的方向观察沿图1所示的线A — A的电子器件10的剖面时的图。以下，将电子器件10的层叠方向定义为z轴方向，且将沿电子器件10的z轴方向的正方向侧的面的长边及短边的方向分别定义为X轴方向及I轴方向。X轴方向、y轴方向与Z轴方向正交。如图1及图2所示，电子器件10具备层叠体12、多个外部电极14 (图示为第一及第二外部电极14a、14b)、多个连接部30 (图示为第一及第二连接部30a、30b)、以及线圈L0如图1所示，层叠体12呈长方体状，且内置有线圈L。在层叠体12中，将位于z轴方向的两端的表面称为上表面及下表面，将连接上表面与下表面的面称为侧面。如图2所示，层叠体12通过层叠多个磁性体层16 (图示为第一 第十三磁性体层16a 16m)以及多个非磁性体层17 (图示为第一 第十三非磁性体层17a 17m)而构成。磁性体层16a 16m为由磁性材料(例如Ni — Cu — Zn系铁氧体)构成的长方形状的层，且从z轴方向的正方向侧至负方向侧按顺序排列。以下，将各磁性体层16的z轴方向的正方向侧的面称为正表面，将各磁性体层16的z轴方向的负方向侧的面称为背面。非磁性体层17a 17m分别设置于磁性体层16a 16m的正表面上。非磁性体层17a、17b分别形成为长方形状，且设置于磁性体层16a、16b的位于x轴方向的负方向侧且位于I轴方向的正方向侧的角。非磁性体层17c 17j为沿磁性体层16c 16j的四个边设置的长方形状的环状的层。非磁性体层17k 17m分别形成为长方形状，且设置于磁性体层16k 16m的位于X轴方向的正方向侧且位于y轴方向的正方向侧的角。非磁性体层17为含有玻璃的层，具体而言，由混合有非磁性材料(例如Ba - Al-Si系瓷器组成物)和硼硅酸盐玻璃的材料制作。Ba — Al-Si系瓷器组成物为在烧制层叠体12时不收缩的材料。并且，硼硅酸盐玻璃的软化点低于层叠体12的烧制温度(例如900°C)，例如为800°C。以下，将非磁性体层17的z轴方向的正方向侧的面称为正表面，将非磁性体层17的z轴方向的负方向侧的面称为背面。如图1所示，外部电极14a以覆盖层叠体12的上表面的方式设置。如图1所示，外部电极14b以覆盖层叠体12的下表面的方式设置。此外，外部电极14a、14b折返至与上表面及下表面相邻的侧面。外部电极14a、14b作为将电子器件10外的电路与线圈L电连接的连接端子而发挥功能。如图2所不,线圈L内置于层叠体12内，且由多个线圈导体18 (图不为第一 第七线圈导体18a 18g)及多个通孔导体v4 v9构成。线圈L构成为通过连接线圈导体18及通孔导体v4 v9而形成为螺旋形状，且具有与z轴方向平行的线圈轴。如图2所示，线圈导体18a 18g分别设置于磁性体层16d 16j的正表面上，且为当从z轴方向俯视观察时顺时针旋转的-字状的线状导体。更详细地，线圈导体18a 18g具有3 / 4圈的圈数，且沿着磁性体层16的三个边。线圈导体18a在磁性体层16d中沿X轴方向的负方向侧的短 边以外的三个边设置。线圈导体18b在磁性体层16e中沿y轴方向的负方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18c在磁性体层16f中沿X轴方向的正方向侧的短边以外的三个边设置。线圈导体18d在磁性体层16g中沿y轴方向的正方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18e在磁性体层16h中沿X轴方向的负方向侧的短边以外的三个边设置。线圈导体18f在磁性体层16i中沿y轴方向的负方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18g在磁性体层16j中沿X轴方向的正方向侧的短边以外的三个边设置。进而，当从z轴方向俯视观察时，线圈导体18a 18g互相重叠而形成为长方形的环状形状。以下，在线圈导体18中，将当从z轴方向的正方向侧俯视观察时位于顺时针方向的上游侧的端部作为上游端，将位于顺时针方向的下游的端部作为下游端。另外，线圈导体18的圈数不限于3 / 4圈。因此，线圈导体18的圈数例如可以为I / 2圈，也可以为7 /8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其特征在于，所述电子器件具备：层叠体，该层叠体通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层而构成；以及线圈，该线圈内置于所述层叠体，通过所述玻璃扩散，在所述磁性体层中与所述非磁性体层相邻的部分的第二磁导率低于在所述磁性体层中不与所述非磁性体层相邻的部分的第一磁导率。

【技术特征摘要】
2011.10.14 JP 2011-2264721.一种电子器件，其特征在于， 所述电子器件具备 层叠体，该层叠体通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层而构成；以及 线圈，该线圈内置于所述层叠体， 通过所述玻璃扩散，在所述磁性体层中与所述非磁性体层相邻的部分的第二磁导率低于在所述磁性体层中不与所述非磁性体层相邻的部分的第一磁导率。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于， 所述线圈通过对设置在所述磁性体层上的多个线圈导体进行连接而形成，且呈具有与层叠方向平行的线圈轴的螺旋状， 当从层叠方向俯视观察时，所述非磁性体层设置于在设置有所述线圈导体的所述各磁性体层中由该线圈导体形成的环状形状的外侧。3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于， 当从层叠方向俯视观察时，所述层叠体中的比所述线圈靠外侧的区域由所述非磁性体层或具有第二磁导率的所述磁性体层构成。4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于， 所述玻璃具有比所述层叠体的烧制温度低的软化点。5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田原充，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：