【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法。
技术介绍
晶向为〈111〉抛光衬底片是信息产业、半导体工业中最重要的主体功能材料，在半导体器件生产过程中，晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面是用来划分芯片的基准面，晶向为〈111〉抛光衬底片加工后的管芯的划片分割是按照预先硅片制备的定位面方向进行的，而定位面的制作的传统工艺流程是靠目测单晶主棱线，找出单晶的几条主棱，再依据晶向的不同来画出主定位面位置，一旦主棱判别出现偏差，将会导致单晶棒定位面的制作错误。错误的定位面，将会导致抛光衬底片的图形畸变和划管芯成品率降低。在此情况下，人们一直在寻找快速判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，现有的技术是采用接触式X射线定向仪来判别(GB/T13388《硅片参考面结晶学取向X射线测量方法》)。存在的问题是晶向为〈I11>抛光衬底片的加工都是在100级净化厂房里进行，如果采用X射线定向仪进行测量，则晶向为〈111〉抛光衬底片要直接接触X射线仪，造成晶向为〈111〉抛光衬底片表面沾污。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供既快速简便，又能防止表面沾污的一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法。本专利技术采取的技术方案是一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于先取一片晶向为〈111〉抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀I 3分钟，然后将腐蚀后的晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按顺时针方...
【技术保护点】
一种判别晶向为抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于先取一片晶向为抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀1～3分钟，然后将腐蚀后的晶向为抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按顺时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面正确；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按逆时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面错误。
【技术特征摘要】
1.一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于先取一片晶向为〈111〉抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀I 3分钟，然后将腐蚀后的晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛卫中，楼春兰，王莲芳，汪新华，吴飞，
申请(专利权)人：开化县质量技术监督检测所，
类型：发明
国别省市：
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