【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体测试方法，特别涉及。
技术介绍
现有的半导体制造主要是在晶片(wafer)的器件面上制作各种半导体器件，半导体制造工艺流程中的主要工序包括在具有衬底的晶片器件面上沉积薄膜或介质层、光刻后刻蚀薄膜或介质层，使其图案化形成半导体器件结构、化学机械研磨使晶片表面平坦化等。晶片按照半导体制造工艺流程在不同设备中完成不同工序。为了提高实际生产中半导体器件的良率，往往需要通过离线检测了解各道工序所用设备的状况以及工艺控制情况， 化学气相沉积(CVD)或扩散(diffusion)等方法生长薄膜或介质层的工序,离线检测该工序中生长的薄膜或介质层是否存在大量缺陷的方法就是按照工序要求在衬底100表面生长薄膜或介质层101后，不进行后续的光刻和刻蚀步骤，直接检测薄膜或介质层的表面缺陷102，如图I所示，其中将未经过光刻和刻蚀的薄膜或介质层，称为非图案化薄膜或介质层101。现有技术中，将具有空白衬底或者非图案化薄膜或介质层的晶片作为半导体样品，对半导体样品中空白衬底或者非图案化薄膜或介质层的表面缺陷的离线检测，称为非图案化表面缺陷的离线检测。非图案化表面缺陷的...
【技术保护点】
一种非图案化表面缺陷的离线检测方法，提供具有衬底或者在所述衬底上具有非图案化薄膜或介质层的晶片，该方法包括：所述衬底表面或者所述非图案化薄膜或介质层表面形成薄膜层，作为半导体样品，所述薄膜层对所述非图案化表面缺陷离线检测中入射光的折射率高于真空；用光学检测法检测所述半导体样品中所述衬底或者非图案化薄膜或介质层的表面缺陷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡华勇，林益世，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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