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本发明提供了一种离线检测非图案化表面缺陷的方法，该方法在用于离线检测的具有非图案化晶片表面或具有非图案化薄膜或介质层的晶片表面制作具有高折射率和低吸收系数k的薄膜层作为介质制成半导体样品，用光学检测法检测所述半导体样品中所述非图案化晶片表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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