【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域,特别涉及一种对衬底的。
技术介绍
随着超大规模集成电路ULSI (Ultra Large Scale Integration)的飞速发展,集 成电路工艺制作工艺变得越来越复杂和精细,这就要求以更高的精度和更好的均匀性形成 半导体器件,而在实际集成电路生产过程,由于工艺和设备等不同因素的影响,往往在衬底 表面会形成不可预期的缺陷,例如颗粒缺陷,最终导致产品良率的降低,因此,在集成电路 生产中半导体衬底的缺陷检测也变得至关重要。图1为现有技术的流程示意图,包括步骤S101,提供阈值;S102,获 得单元片上一个区域的待检像素和相邻单元片上一个区域参考像素;S103,根据单元片上 一个区域的待检像素的灰度值和相邻单元片上一个区域参考像素的灰度值,获得整个单元 片的待检值和相邻单元片的参考值,并获得所述待检值和参考值的之间差值,所述差值为 绝对值;S104,比较所述差值与阈值的大小,当差值大于阈值时,判定有缺陷的存在。灰度值 表示像素的技术为公知的技术在此不再详述。所述整个单元片的待检值为所述单元片上一 个区域的待检像素的灰度值的加权平均值。更 ...
【技术保护点】
一种缺陷检测方法,其特征在于,包括步骤:提供母本衬底一目标单元片上多个区域的区域母本阈值;提供待检衬底,选定所述待检衬底上一待检单元片和相邻单元片;将所述待检单元片和相邻单元片划分为多个区域,并获取所述待检单元片上每个区域的区域待检像素和相邻单元片上的每个区域的区域参考像素;根据所述区域待检像素和区域参考像素,计算待检单元片和相邻单元片上每个区域的区域待检值和区域参考值,获得所述区域待检值和区域参考值的之间的差值并以之作为区域差值,所述区域差值为绝对值;比较所述区域差值与区域母本阈值的大小,当所述区域差值大于区域母本阈值时,判定有缺陷的存在。
【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法,其特征在于,包括步骤提供母本衬底一目标单元片上多个区域的区域母本阈值;提供待检衬底,选定所述待检衬底上一待检单元片和相邻单元片;将所述待检单元片和相邻单元片划分为多个区域,并获取所述待检单元片上每个区域的区域待检像素和相邻单元片上的每个区域的区域参考像素;根据所述区域待检像素和区域参考像素,计算待检单元片和相邻单元片上每个区域的区域待检值和区域参考值,获得所述区域待检值和区域参考值的之间的差值并以之作为区域差值,所述区域差值为绝对值;比较所述区域差值与区域母本阈值的大小,当所述区域差值大于区域母本阈值时,判定有缺陷的存在。2.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述母本衬底和待检衬底上有多个具有相同构图的单元片。3.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述待检衬底上待检单元片的区域待检值为区域待检像素的灰度值、区域待检像素的最大灰度值和最小灰度值的差值、区域待检像素灰度值的平均值或区域待检像素灰度值的方差值。4.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述待检衬底上相邻单元片的区域参考值为区域参考像素的灰度值、区域参考像素的最大灰度值和最小灰度值的差值、区域参考像素灰度值的平均值或区域参考像素灰度值的方差值。5.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述相邻单元片的数量等于或大于I。6.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述区域母本阈值的获得方法为提供母本衬底;选定所述母本衬底上一目标单元片和相邻单元片;将所述目标单元片和相邻单元片划分为数量和位置相同的N个区域,获得所述目标单元片第I N个区域的区域母本已检像素和相邻单元片上相应第I N个区域的区域参考像素;根据所述区域母本已检像素和区域参考像素的灰度值,计算所述目标单元片第I N个区域的区域母本已检值和相邻单元片相应第I ...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶林,徐萍,朱瑜杰,陈思安,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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