蚀刻液组合物及蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及一种在FPD（平板显示器）的显示装置、太阳能电池或触控面板的电极等中使用的透明导电膜的蚀刻液组合物，并提供可对铜和/或铜合金膜与氧化铟锡等透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物。本发明专利技术的用于对铜和/或铜合金膜与透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其包括盐酸、氯化铁或氯化铜，以及水，盐酸的浓度为15.0~36.0重量%，氯化铁或氯化铜的浓度为0.05~2.00重量%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对FPD (平板显示器)的显示装置或太阳能电池、触控面板传感器中的电极等中使用的透明导电膜与在布线等中使用的铜和/或铜合金膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。
技术介绍
透明导电膜是在IXD (液晶显示器)、ELD (电致发光显示器)等平板显示器、太阳能电池或触控面板等中使用的具有透光性的导电材料。这些透明导电膜，例举以氧化铟锡、氧化铟、氧化锡或氧化锌等材料构成，其中主要广泛使用氧化铟锡(以下也称为ΙΤ0)。为了将透明导电膜用作Fro显示电极或太阳能电池、触控面板等的电极，需要将该透明导电膜以适合各自电子器件的膜质成膜，并加工成规定的图形形状。例如，在触控面板中，从膜的可靠性、电特性等观点考虑，ITO膜优选结晶化了的膜。作为图形加工方法，可以进行基于光刻的蚀刻，例如，可以通过溅射法等将ITO膜在玻璃基板或塑料基板等上成膜，通过将抗蚀剂等作为掩膜，对ITO膜进行蚀刻，从而获得形成了目标图形的ITO膜。另外，当将透明导电膜用作上述电极的情况下，可以根据需要在透明导电膜上层积金属膜作为低电阻布线材料，所述金属膜由银、铜、铝或它们的合金等金属材料构成。这样的低电阻布线材料，一般用于实现电器中的透明导电膜与其他部件之间的良好的电接触。从近年来的电子设备的小型化、显示装置的高精细化等观点考虑，现在设置了上述低电阻布线材料的透明导电膜被多数电子设备所采用。在上述中，由于铜和/或铜合金电阻低且较便宜，因此尤其被广泛使用。并且，在ITO膜上形成的铜和/或铜合金膜，与ITO膜的图形形成相同，也可以通过光刻形成目标图形。并且，随着近年来电子设备的小型化、高精细化，需求一种能够用于制备具有高密度布线且电极或布线尺寸精度高的电子部件的方法，即需求一种能够对透明导电膜与铜和/或铜合金膜高精度且高效地形成精细图形的方法。在触控面板中，如上所述，作为低电阻布线材料的铜和/或铜合金膜设置在作为电极材料的ITO膜上的电极被广泛应用。在现有工序中，铜和/或铜合金膜与结晶质ITO膜分别在各自的工序中通过与各膜质相适应的蚀刻液蚀刻加工而成，制备上述电极时需要较多的工序。例如，在现有工序中，如图1所示，在层积体I上层积感光层2及聚对苯二甲酸乙二醇酯层3 (S-1)，然后进行曝光(S-2)、显影(S-3)及冲洗-干燥(S-4)，形成抗蚀21，所述层积体I是在聚对苯二甲酸乙二醇酯基材11上依次层积ITO膜12、铜膜13而形成的。然后，对铜膜13进行蚀刻(S-5)、冲洗-干燥(S-6)，形成铜布线131，进一步，对ITO膜12进行蚀刻(S-7)、冲洗-干燥(S-8)，形成透明电极121。进一步，进行抗蚀21的剥离(S-9)及与此相伴的冲洗-干燥(S-10)，得到目标电极层积体4。目前，作为ITO膜的蚀刻液，使用由草酸水溶液、盐酸及高浓度的氯化铁形成的混合溶液，或由盐酸及硝酸形成的混合溶液 (王水类)等。但是，这些蚀刻液存在下述缺陷，如作为用于制备触控面板用电极部件的蚀刻液，在实用上不够充分。专利文献I中，提出了基于草酸水溶液的蚀刻方法。草酸水溶液，侧蚀量少，且便宜、化学稳定性也优异。但是，由于耐药品性强的结晶质ITO膜或铜和/或铜合金膜不溶解于草酸水溶液，因此草酸水溶液实质上不能对这样的膜使用。因此，草酸水溶液，仅限于在非晶质ITO膜中使用。在专利文献2飞中，提出了一种以结晶质ITO膜单层蚀刻为目的的蚀刻方法，其使用含有盐酸及高浓度氯化铁的混合溶液。另外，在专利文献3中，也公开了可以将上述混合溶液在铜或铜合金等的蚀刻中使用。但是，在专利文献2飞中，未有任何关于对层积了铜或铜合金膜以及ITO膜的层积膜进行同时蚀刻的讨论。盐酸与硝酸的混合溶液(王水类)，可以分别对铜和/或铜合金膜与结晶质ITO膜进行蚀刻。但是，未针对使用这样的混合液同时蚀刻铜和/或铜合金膜与ITO膜进行讨论。并且，认为使用上述混合溶液的同时蚀刻，对抗蚀的损害大，铜和/或铜合金膜的蚀刻速度慢，因此难以同时蚀刻铜和/或铜合金膜与ITO膜。此外，上述混合溶液化学稳定性欠缺，随时间变化激烈，因此，存在着难以交付使用(de I ivery )的困难。在专利文献6中，公开了基于弱酸的同时蚀刻铜膜与ITO膜的技术。这样的同时蚀刻，例如，如图2所示，作为基本的工序，其具有与图1所示S-fS-4、S-9、S-10相同的工序S-Γ S-4’、S-7’ S_8’，但是在S_5’及S_6’中，能够同时对铜膜13及ITO膜12形成图形。因此，当采用同时蚀刻技术的情况下，可以省略图1所示的S-7及S-8工序，能够对工序进行大幅度改善。但是，在同一文献中指出，作为ITO膜也是以非晶质为对象的，不能适用于使用结晶化ITO膜的器件。 如上，目前均未对同时蚀刻透明导电膜与铜或铜合金膜进行充分的研究。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平5-62966号公报专利文献2 :日本特开2009-231427号公报专利文献3 日本特开2009-235438号公报专利文献4 :日本特开平7-130701号公报专利文献5 :日本特开昭61-199080号公报专利文献6 日本特开2006-148040号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种能够同时蚀刻铜和/或铜合金膜与透明导电膜的蚀刻液组合物，以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。解决技术问题的手段本专利技术人，在为解决上述问题的研究中，面临下述等问题，在同时蚀刻中，由于对铜和/或铜合金膜以及透明导电膜的蚀刻速度通常有大幅差异，因此例如在透明导电膜的蚀刻期间，对铜和/或铜合金膜的侧蚀量增大，难以控制铜和/或铜合金膜的线宽度。为了解决该问题，反复进行了深入研究，发现含有盐酸及少量氯化铁或氯化铜的蚀刻液组合物，能够对电极布线材料等所用的铜和/或铜合金膜与透明导电膜以良好形状且高精度地进行同时蚀刻，进而继续研究，结果进而完成了本专利技术。SP，本专利技术涉及下述内容。[I] 一种用于对铜和/或铜合金膜与透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其包括盐酸、氯化铁或氯化铜，以及水，盐酸的浓度为15. (Γ36. O重量％，氯化铁或氯化铜的浓度为O. 05^2. 00重量％。[2]根据[I]所述的蚀刻液组合物，其还含有磷酸。[3]根据[I]或[2]所述的蚀刻液组合物，透明导电膜的构成为含有结晶质的材料。[4]根据[3]所述的蚀刻液组合物，结晶质的材料为结晶质氧化铟锡。[5]蚀刻方法，其使用[1Γ[4]中任意一项所述的蚀刻液组合物，对含有铜和/或铜合金膜与透明导电膜的基板进行同时蚀刻处理。[6]根据[5]所述的蚀刻方法，所述基板为用于触控面板传感器的结构部件。专利技术效果 通过本专利技术，可以提供一种可对铜和/或铜合金膜与透明导电膜进行同时蚀刻的蚀刻液组合物，以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。具体地，使用现有的蚀刻液组合物，例如将专利文献2飞中记载的含有盐酸及高浓度的氯化铁的混合溶液用于同时蚀刻的情况下，一般地，对铜和/或铜合金膜的蚀刻速度快，另一方面，相对于透明导电膜的蚀刻速度缓慢，因此，如图3所示，在透明导电膜5的蚀刻期间，对铜和/或铜合金膜6的侧蚀量增大，难以控制铜和/或铜合金膜6的线宽度。结果，现有的蚀刻液组合物，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对铜和/或铜合金膜与透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其特征在于，其包括：盐酸、氯化铁或氯化铜，以及水；盐酸的浓度为15.0~36.0重量%，氯化铁或氯化铜的浓度为0.05~2.00重量%。

【技术特征摘要】
2011.10.17 JP 2011-2282371.一种用于对铜和/或铜合金膜与透明导电膜同时进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其特征在于，其包括 盐酸、氯化铁或氯化铜，以及水； 盐酸的浓度为15. (Γ36. O重量％， 氯化铁或氯化铜的浓度为O. 05^2. 00重量％。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，其还含有磷酸。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜的构成为其含有结晶质...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口隆雄，石川典夫，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：