蚀刻方法及蚀刻装置制造方法及图纸

一种蚀刻方法，具备：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴（20）喷射而喷附于蚀刻对象物（1）的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴（30）喷射，将蚀刻液喷附于在第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻。在第2蚀刻工序中，将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻方法及蚀刻装置，特别涉及在制造印刷布线板的工序中、将基板上的被加工导电层进行图案蚀刻(pattern etching)而图案形成布线部的蚀刻方法及蚀刻>J-U ρ α装直。
技术介绍
作为在安装有半导体等部件的印刷布线板(基板)的表面形成微细的图案的布线部的蚀刻方法，广泛地使用从一流体喷嘴向基板上喷射蚀刻液的方法。在铜箔上预先图案形成作为掩模层的抗蚀剂膜，使蚀刻液与没有被抗蚀剂膜保护的铜箔接触，从而将铜箔进行图案加工。但是，在使用一流体喷嘴的方法中，蚀刻液滴的粒径大，例如在邻接的布线部间的间隔为50μπι以下的微细化的布线图案的加工中，蚀刻液滴不能将被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内蚀刻，难以使E/F (蚀刻系数etch factor)提高。作为消除这样的不良状况的方法，提出了使用将蚀刻液与压缩空气混合喷射的二流体喷嘴的方法。通过使用二流体喷嘴，与一流体喷嘴相比，能够实现蚀刻液的微小液滴化，喷射速度也变大。例如在微细化为50 μ m以下的图案的蚀刻中，也能够将蚀刻液的微小液滴以高速向图案内压入而使E/F提高。专利文献1:日本特开2002 - 256458号公报专利文献1:日本特开2010 — 287881号公报但是，在使用二流体喷嘴的方法中，由于消耗大量的压缩空气，所以导致设备的大型化及成本的上升。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时、能够得到适当的E/F的蚀刻方法及蚀刻装置。为了达到上述目的，本专利技术的第I技术方案的蚀刻方法，具备以下工序第I蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第I蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻；在第2蚀刻工序中，将与第I蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第I蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。本专利技术的第I技术方案的蚀刻装置具备输送机构、一流体喷嘴和二流体喷嘴。输送机构沿着依次通过第I蚀刻处理部和第2蚀刻处理部的规定的输送路`径输送蚀刻对象物；一流体喷嘴配置于第I蚀刻处理部，将蚀刻液喷射并使其喷附于由输送机构输送的蚀刻对象物的蚀刻对象面；二流体喷嘴配置于第2蚀刻处理部，将蚀刻液与气体混合喷射并使其喷附于由输送机构从第I蚀刻处理部输送的蚀刻对象物的蚀刻对象面；二流体喷嘴将与一流体喷嘴相比液滴微小的蚀刻液以比一流体喷嘴强的冲击力喷附于蚀刻对象面。 在上述方法及装置中，在被蚀刻层的表面侧，首先进行来自一流体喷嘴的基于较大液滴的蚀刻液的粗略的蚀刻处理。接着，进行来自二流体喷嘴的基于微小液滴的蚀刻液的细致的蚀刻处理，即使是微细化的布线图案的加工，也能够将蚀刻液滴压入到被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内。这样，由于不是对全部的蚀刻处理使用二流体喷嘴而是有效地并用一流体喷嘴和二流体喷嘴，所以能够在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时得到适当的E/F。另外，所谓E/F，是蚀刻深度(被蚀刻层的厚度)相对于被蚀刻层的横向的蚀刻量(底切量)的比率，数值越大越优选。本专利技术的第2技术方案的蚀刻方法，在上述第I技术方案的蚀刻方法中，蚀刻对象面是蚀刻对象物的上表面；第I蚀刻工序包括将从一流体喷嘴喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第I吸引工序；第2蚀刻工序包括将从二流体喷嘴喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第2吸引工序。本专利技术的第2技术方案的蚀刻装置，在上述第I技术方案的蚀刻装置中，具备对第 I蚀刻处理部和第2蚀刻处理部双方所配置的吸引机构；输送机构以蚀刻对象面朝向上方的状态将蚀刻对象物沿大致水平方向输送；吸引机构将从一流体喷嘴和二流体喷嘴分别喷附于蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去。在上述方法及装置中，将从一流体喷嘴及二流体喷嘴喷附的蚀刻液从蚀刻对象面早期地除去。因此，能够将能对蚀刻液喷附成为障碍的蚀刻液滞留的发生防范于未然，能够进行面内均匀性高的蚀刻。此外，在上述第2技术方案的蚀刻方法及蚀刻装置中，优选的是，从二流体喷嘴向蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从一流体喷嘴及二流体喷嘴向蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上50%以下。专利技术效果根据本专利技术，能够在将压缩空气的消耗量抑制为最小限度的同时得到适当的E/F。 附图说明图1是示意地表示本专利技术的一实施方式的蚀刻装置的概略结构图。图2是用来说明蚀刻处理的印刷布线板的放大剖视图，图2 Ca)表示蚀刻处理前的状态，图2 (b)表示蚀刻处理后的理想的状态。图3是表示蚀刻试验的结果的表。图4是表示蚀刻试验的结果的曲线图。具体实施方式以下，基于附图说明本专利技术的一实施方式。首先，参照图2的剖视图，对采用本实施方式的蚀刻方法及蚀刻装置的印刷布线板的制造方法的概要进行说明。如图2 (a)所示，在由环氧树脂等热硬化性树脂或其他树脂等构成的绝缘性的基板(蚀刻对象物)I的两面，以几 几十μ m的膜厚形成例如铜箔等导电层( 被蚀刻层)2。形成导电层2的方法可以是粘贴、镀层、气相成长等任意的方法，基板I的两面成为蚀刻对象面。接着，如图2 (b)所示，通过光刻工序(干膜抗蚀剂、液状抗蚀剂等)在导电层2的上层形成抗蚀剂膜3，通过进行图案曝光、显影处理，在导电层2的上层图案形成抗蚀剂膜 3。抗蚀剂膜3的形成处理对基板I的两面分别进行。接着，如图2 (C)所示，对基板I的两面上的导电层2实施以抗蚀剂膜3为掩模的蚀刻处理。即，将导电层2按照抗蚀剂膜3的图案进行蚀刻，图案形成布线部2a。在图案形成布线部2a后，例如通过强碱溶液或有机溶剂处理等将抗蚀剂膜3剥离。由此，形成希望的印刷布线板。以上述抗蚀剂膜3为掩模的对导电层2的蚀刻处理使用本实施方式的蚀刻装置及方法进行。图1是示意地表示本实施方式的蚀刻装置的概略结构图。在蚀刻装置10的蚀刻处理室11内，设定有从一侧(图1中左侧)的入口 14朝向另一侧(图1中右侧)的出口 15以水平直线状延伸的输送路径，在该输送路径中设有多个输送棍(输送机构)16。输送棍16将图案形成有抗蚀剂膜3的基板I保持为一面朝向上方另一面朝向下面的大致水平状而沿着输送路径输送。蚀刻处理室11内的上部大致被分为进行第I蚀刻工序的第I蚀刻处理部12、和进行第2蚀刻工序的第2蚀刻处理部13，输送路径依次通过入口 14侧的第I蚀刻处理部12 和出口 15侧的第2蚀刻处理部13。第I蚀刻处理部12排列设置有多个一流体喷嘴20，第 2蚀刻处理部13排列设置有多个二流体喷嘴30。一流体喷嘴20及二流体喷嘴30可以相对于输送路径是固定的(静置)，也可以相对于输送路径摆动(振动)。在输送路径的下方的蚀刻处理室11内的底部，储存有以氯化铜、氯化铁或碱性物质为基础的蚀刻液5。各一流体喷嘴20与将储存在蚀刻处理室11内的蚀刻液5进行供给的第I蚀刻液供给管路21连接。第I蚀刻液供给管路21设有第I泵22、过滤器24和压力计23，蚀刻处理室11内的蚀刻液5从第I泵22在被过滤器24过滤后，以规定压力被供给到各一流体喷嘴20。向一流体喷嘴20的蚀刻液的供给压力·由压力计23计测。各二流体喷嘴30与将储存在蚀刻处理室11内的蚀刻液5进行供给的第2蚀刻液供给管路31连接。第2蚀刻液供给管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，具备以下工序：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第1蚀刻工序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面进一步蚀刻；在上述第2蚀刻工序中，将与上述第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第1蚀刻工序强的冲击力喷附于上述蚀刻对象面。

【技术特征摘要】
2011.10.11 JP 2011-2240931.一种蚀刻方法，其特征在于， 具备以下エ序 第I蚀刻エ序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面蚀刻；以及 第2蚀刻エ序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第I蚀刻エ序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面进ー步蚀刻； 在上述第2蚀刻エ序中，将与上述第I蚀刻エ序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第I蚀刻エ序强的冲击カ喷附于上述蚀刻对象面。2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述蚀刻对象面是上述蚀刻对象物的上表面； 上述第I蚀刻エ序包括将从上述一流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第I吸引エ序； 上述第2蚀刻エ序包括将从上述二流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第2吸引エ序。3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于， 从上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从上述一流体喷嘴及上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山政宪，松尾达彦，
申请(专利权)人：开美科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：