蚀刻方法及蚀刻装置制造方法及图纸

一种蚀刻方法，具备：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴（20）喷射而喷附于蚀刻对象物（1）的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴（30）喷射，将蚀刻液喷附于在第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻。在第2蚀刻工序中，将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻方法及蚀刻装置，特别涉及在制造印刷布线板的工序中、将基板上的被加工导电层进行图案蚀刻(pattern etching)而图案形成布线部的蚀刻方法及蚀刻>J-U ρ α装直。
技术介绍
作为在安装有半导体等部件的印刷布线板(基板)的表面形成微细的图案的布线部的蚀刻方法，广泛地使用从一流体喷嘴向基板上喷射蚀刻液的方法。在铜箔上预先图案形成作为掩模层的抗蚀剂膜，使蚀刻液与没有被抗蚀剂膜保护的铜箔接触，从而将铜箔进行图案加工。但是，在使用一流体喷嘴的方法中，蚀刻液滴的粒径大，例如在邻接的布线部间的间隔为50μπι以下的微细化的布线图案的加工中，蚀刻液滴不能将被蚀刻层上的抗蚀剂膜的图案内蚀刻，难以使E/F (蚀刻系数etch factor)提高。作为消除这样的不良状况的方法，提出了使用将蚀刻液与压缩空气混合喷射的二流体喷嘴的方法。通过使用二流体喷嘴，与一流体喷嘴相比，能够实现蚀刻液的微小液滴化，喷射速度也变大。例如在微细化为50 μ m以下的图案的蚀刻中，也能够将蚀刻液的微小液滴以高速向图案内压入而使E/F提高。专利文献1:日本特开2002 - 256458号公报专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，具备以下工序：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第1蚀刻工序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面进一步蚀刻；在上述第2蚀刻工序中，将与上述第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第1蚀刻工序强的冲击力喷附于上述蚀刻对象面。

【技术特征摘要】
2011.10.11 JP 2011-2240931.一种蚀刻方法，其特征在于， 具备以下エ序 第I蚀刻エ序，将蚀刻液从一流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于蚀刻对象物的蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面蚀刻；以及 第2蚀刻エ序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴喷射而将蚀刻液喷附于在上述第I蚀刻エ序中被蚀刻后的上述蚀刻对象面，从而将上述蚀刻对象面进ー步蚀刻； 在上述第2蚀刻エ序中，将与上述第I蚀刻エ序相比液滴微小的蚀刻液以比上述第I蚀刻エ序强的冲击カ喷附于上述蚀刻对象面。2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于， 上述蚀刻对象面是上述蚀刻对象物的上表面； 上述第I蚀刻エ序包括将从上述一流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第I吸引エ序； 上述第2蚀刻エ序包括将从上述二流体喷嘴喷附于上述蚀刻对象面的蚀刻液吸引并除去的第2吸引エ序。3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于， 从上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的喷附量相对于从上述一流体喷嘴及上述二流体喷嘴向上述蚀刻对象面的蚀刻液的总喷附量的比例是2%以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山政宪，松尾达彦，
申请(专利权)人：开美科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：