一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法技术

本发明专利技术公开了一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法，其工艺步骤为：按照Cd2+与Te(Ⅳ)的摩尔比为0.9～1.1的配比在酸中溶解镉和碲的氧化物、氢氧化物或盐，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的浓度为0.2～1mol/L的溶液；然后将该溶液置于恒温水浴锅中，恒温温度为20～90℃；接着滴加入浓度为0.2～1mol/L的还原剂溶液，并不断搅拌，直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te(Ⅳ)离子物质的量和的3～5倍为止；反应结束后，将溶液过滤，滤出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中，再在150℃～450℃下反应0.5～4h，冷却至室温即得碲化镉粉末。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液相还原制备碲化镉粉末的方法。
技术介绍
碲化镉作为一种化合物半导体，是理想的光电转换材料，多晶碲化镉合金粉又是制备太阳能碲化镉薄膜电池的关键核心材料。目前国内合成碲化镉粉末的方法主要是用单质的碲、镉固体粉末或颗粒高温液相合成，如中国专利200710049890. 5公开了一种高纯碲化镉的制备方法，其特点是将5N碲和5N镉按摩尔比1:1的配比进行混合，然后粉碎或研磨成粒料，粒径为8 13 μ m，500 600重量份，装入石英管，抽真空至I 1. 2Pa密封，再将密封好后的石英管放入合成炉中进行反应合成碲化镉块，然后研磨成粉。中国专利200910312590. O公开了一种高纯碲化镉粉的制备方法，其特点是将5N碲料和5N镉料，按质量比1:1.1 1. 15称量，并将碲料分成N份，镉料分成N-1份，将每份碲料和每份镉料交替加入经涂碳处理后石英管，且保证最先最后加入的是碲料，装料后脱氧并封管，缓慢进行高温高压的合成反应。上述专利均存在因碲粉与镉粉混合不均匀而导致产物不纯；由于合成温度高，产物熔融成块，制粉困难，且易引入杂质；另一方面反应原料要通过高纯石英管封装，工序复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法，其特征在于制备工艺为：首先按照Cd与Te元素摩尔比为0.9～1.1称量好碲源与镉源，并将它们溶于酸中，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的浓度为0.2～1mol/L的溶液；然后将该溶液置于恒温水浴锅中，恒温温度为20～90℃；接着滴加入浓度为0.2～1mol/L的还原剂溶液，并不断搅拌，直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te(Ⅳ)离子物质的量和的3～5倍为止；反应结束后，将溶液过滤，滤出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中，再在150℃～450℃下反应0.5～4h，冷却至室温即得碲化镉粉末。

【技术特征摘要】
1.一种液相还原与氢处理制备締化镉粉末的方法,其特征在于制备工艺为首先按照Cd与Te元素摩尔比为O. 9 1.1称量好碲源与镉源，并将它们溶于酸中，配制成Cd2+、 Te(IV)的浓度为O. 2 lmol/L的溶液；然后将该溶液置于恒温水浴锅中，恒温温度为 20 90°C ;接着滴加入浓度为O. 2 lmol/L的还原剂溶液，并不断搅拌，直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te (IV )离子物质的量和的3 5倍为止；反应结束后，将溶液过滤，滤出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中，再在150°C 450°C下反应O. 5 4h，冷却至室温即得...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖，叶金文，苟军军，何功明，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：