在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在烧结银层上包括扩散焊接层(diffusion soldered layer)的半导体器件。
技术介绍
功率电子模块是被使用在功率电子电路中的半导体封装。功率电子模块通常被用在车辆应用以及エ业应用中，诸如用在逆变器以及整流器中。被包括在功率电子模块之内的半导体部件通常是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半导体芯片或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)半导体芯片。IGBT和MOSFET半导体芯片具有变化的电压额定值和电流额定值。被包括在功率电子模块之内的半导体部件也可以包括ニ极管、晶闸管、结型场效应晶体管(JFET)以及双极型晶体管。无源部件和控制电子设备都可以被包括在功率电子模块之内。半导体部件由S1、SiC, GaN, GaAs或其它合适的衬底制成。ー些功率电子模块包括用于过电压保护的半导体封装中的附加的半导体ニ极管(即续流ニ极管)。一般而言，使用两种不同的功率电子模块设计。一种设计用于较高功率应用，而另一种设计用于较低功率应用。对于较高功率应用，功率电子模块通常包括被集成在单个衬底上的数个半导体芯片。该衬底通常包括诸如A1203、AIN、Si3N4或其它合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的第一烧结银层；第一半导体芯片；以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。

【技术特征摘要】
2011.08.22 US 13/2143791.一种半导体器件，其包括 衬底； 衬底上的第一烧结银层； 第一半导体芯片；以及 把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一扩散焊接层包括Ag-Sn金属间相。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一烧结银层包括孔。4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括 衬底上的第二烧结银层； 第二半导体芯片；以及 把第二半导体芯片耦合到第二烧结银层的第二扩散焊接层。5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括 基板； 第二烧结银层；以及 第二烧结银层上的第二扩散焊接层， 其中第二烧结银层以及第二扩散焊接层形成把基板接合到衬底的接合部。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，衬底包括被金属化的陶瓷衬底。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一半导体芯片包括功率半导体芯片。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一烧结银层的厚度等于或大于第一扩散焊接层的厚度。9.一种半导体器件，其包括 被金属化的陶瓷衬底； 被金属化的陶瓷衬底上的烧结银层； 半导体芯片；以及 把半导体芯片耦合到烧结银层的扩散焊接层，其中所述扩散焊接层包括Ag-Sn金属间相。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，烧结银层的厚度等于或大于扩散焊接层的厚度。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，扩散焊接层包括基本上纯的Ag-Sn金属间层。12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，烧结银层包括高达百分之30的孔隙度。13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，被金属化的陶瓷衬底包括陶瓷层、在陶瓷层的第一侧上的第一铜层以及在陶瓷层的第二侧上的第二铜层，其中所述陶瓷层的第二侧与所述陶瓷层的第一侧相反。14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，烧结银...

【专利技术属性】
技术研发人员：N厄施勒，R施佩克尔斯，K特鲁诺夫，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：