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本发明涉及在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件。半导体器件包括衬底以及衬底上的第一烧结银层。所述半导体器件包括第一半导体芯片以及把第一半导体芯片耦合到第一烧结银层的第一扩散焊接层。...
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