触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例公开一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，涉及显示器制造领域，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，同时提高开口率增加产品附加值。该触控显示电路结构，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管。本发明专利技术的实施例应用于显示器制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器制造领域，尤其涉及一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,简称为 ADS,高级超维场开关)技术显示凭借其宽广的视角、更高的对比率、更高的分辨率及更明亮的颜色呈现，逐渐被消费者所追捧。在ADS模式下，通过同一层平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及不同层的狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。对incell touch (像素单元内部触控)技术关注将越来越大，目前大部分厂家对于触控技术的实现还是在显示显示装置的出光侧设置一层用于触控的电容薄膜、有少部分厂家在ADS显示模组上使用in cell touch技术,并已经成功量产,但是专利技术人发现在现有技术中,存在产品制程工艺繁琐，且制成品开口率较低的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面,提供一种触控显示电路结构,包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管；所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线；所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极；所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线；所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线；所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，所述第一电容的第二极连接所述触控电极。可选的，所述显示单元包括第三开关晶体管及第二电容；其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线，所述第三晶体管的源极连接所述数据线；所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极，所述第二电容的第二极连接接地端。可选的，所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料；所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。可选的，所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。可选的，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”；所述放大晶体管为“P”型晶体管。一方面，提供一种触控显示电路结构的驱动方法，包括第一阶段，第一开关晶体管、第二开关晶体管和放大晶体管截止，栅线输入扫描信号、本极数据线输入控制信号控制所述显示单元处于显示状态；第二阶段，所述第一开关晶体管导通，所述第二开关晶体管和所述放大晶体管截止，所述数据线输入重置信号为第一电容的第二极充电，所述栅线输入扫描信号关闭所述显示单元；第三阶段，所述第一开关晶体管截止，所述第二开关晶体管导通，第二扫描线提供耦合脉冲信号，当触控电极受到触摸时，所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压，所述放大晶体管导通并处于放大状态将所述第二扫描线提供耦合脉冲信号放大输出至检测信号线。可选的，还包括所述第一阶段，所述第三开关晶体管导通；所述第二阶段和所述第三阶段所述第三开关晶体管截止。—方面，提供一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的至少一个像素单元包括上述任一触控显示电路结构。可选的，所述检测信号线为所述阵列基板上的一条数据线，包含所述触控显示电路结构的本级像素单元处于所述检测信号线与所述本级像素单元的数据线之间，所述检测信号线为所述本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时形成本专利技术实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例提供的一种触控显示电路结构示意图；图2为本专利技术的实施例提供的一种触控显示电路结构的驱动信号时序状态示意图；图3为本专利技术的实施例提供的一种触控显示电路结构触控电极电压变化示意图；图4为本专利技术的实施例提供的一种阵列基板显示电路结构示意图；图5为本专利技术的实施例提供的一种显示单元为ADS模式的阵列基板示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术所有实施例中采用的开关晶体管和放大晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本专利技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本专利技术实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止；放大晶体管包括P型和N型，其中P型放大晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出；其中N型放大晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出，当然本专利技术的实施例只是采用了 P型的放大晶体管。参照图1所示，为本专利技术的实施例提供的一种触控显示电路结构，包括触控单元I和显示单元2 ;与触控单元I连接的第一扫描线S1、第二扫描线S2、检测信号线Dn-1、数据线Dn及信号控制线Kl ;与显示单元2连接的栅线Gn和数据线Dn ；其中触控单元I包括第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2、第一电容Cl、触控电极NI及放大晶体管T3 ；第一开关晶体管Tl的源极连接数据线Dn，第一开关晶体管Tl的栅极连接信号控制线Kl ；触控电极NI连接第一开关晶体管Tl的漏极；放大晶体管T3的栅极连接触控电极NI，放大晶体管T3的源极连接第二扫描线S2 ；第二开关晶体管T2的栅极连接第一扫描线SI，第二开关晶体管T2的源极连接放大晶体管T3的漏极，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控显示电路结构，其特征在于，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管；所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线；所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极；所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线；所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线；所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，所述第一电容的第二极连接所述触控电极。

【技术特征摘要】
1.一种触控显示电路结构，其特征在于，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线； 其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管； 所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线； 所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极； 所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线. 所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线； 所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，所述第一电容的第二极连接所述触控电极。2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述显示单元包括 第三开关晶体管及第二电容； 其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线，所述第三晶体管的源极连接所述数据线. 所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极，所述第二电容的第二极连接接地端。3.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料；所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。4.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。5.根据权利要求1 4任一项所述的电路结构，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：