一种显示基板制作方法及黑矩阵、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示基板制作方法及黑矩阵、显示基板、显示装置，涉及显示技术，本发明专利技术实施例中由导电材料制作黑矩阵，并且，横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形异层设置，且在横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形之间设有色阻层，并由色阻层图形绝缘，每个横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极，或者至少两个相邻的横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极，因此，不需要再单独制作触控电极，减少了工艺流程，也避免了制作色阻后多次进行刻蚀，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示技术，尤其涉及一种显示基板制作方法及黑矩阵、显示基板、显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
目前，在进行嵌入式触摸屏的制作时，需要在彩膜内侧制作触控电极，触控电极一般均选用氧化铟锡共用电极、金属或两者皆有的导电层。在彩膜内实现嵌入式触摸屏的工艺一般是在普通彩膜BM (黑矩阵)、R\G\B色阻、PS (柱状隔垫物)等的工艺完成的基础上，增加X、Y向触控电极的制作，触控电极的材质一般为共用电极；而形成共用电极图形的工艺需经过曝光、显影、刻蚀、剥离，制作流程长且刻蚀中显示区域内已经形成的色阻没有完整共用电极层的保护，易受到刻蚀液的腐蚀。同样，若选用金属作为触控电极，对触控电极的制作流程也比较复杂。可见，目前制作触控电极的工艺流程复杂且对色阻的抗刻蚀液化学腐蚀的能力有很高要求，产品良率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示基板制作方法及黑矩阵、显示基板、显示装置，以提高制作触控电极的效率和产品良率。一种黑矩阵，包括由导电材料制作的横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形，每个横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极，或者至少两个相邻的横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑矩阵，其特征在于，包括：由导电材料制作的横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形，每个横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极，或者至少两个相邻的横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极；所述横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形异层设置，且在所述横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形之间设有色阻层，并由所述色阻层图形绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种黑矩阵，其特征在于，包括 由导电材料制作的横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形，每个横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极，或者至少两个相邻的横向黑矩阵图形或纵向黑矩阵图形构成一个触控电极； 所述横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形异层设置，且在所述横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形之间设有色阻层，并由所述色阻层图形绝缘。2.如权利要求1所述的黑矩阵，其特征在于，横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形的材料具体为 掺杂有纳米金属材料的聚合物基体；或者 掺杂有复合型掺杂导电材料的聚合物基体；或者 导电性高分子材料；或者 金属材料。3.如权利要求2所述的黑矩阵，其特征在于，横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形的材料具体为 掺杂有导电纳米粒子或导电纳米丝的聚合物基体。4.如权利要求3所述的黑矩阵，其特征在于，横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形的材料具体为 掺杂有纳米银粒子的聚合物基体。5.如权利要求3所述的黑矩阵，其特征在于，所述掺杂有导电纳米粒子或导电纳米丝的聚合物基体中，掺杂成分占聚合物基体的质量的59Γ70%。6.如权利要求1所述的黑矩阵，其特征在于，所述在横向黑矩阵图形和纵向黑矩阵图形之间设有色阻层，具体为 所述横向黑矩阵图形和所述纵向黑矩阵图形之间设有红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻中的至少一种。7.一种显示基板，其特征在于，在所述显示基板的显示区域设置有如权利要求1-6任一所述的黑矩阵。8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板；该彩膜基板还包括 边框导电胶，与所述触控电极连接，用于连接所述触控电极与阵列基板中连接触控驱动集成电路芯片IC的触控信号线。9.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述显示区域外侧的遮光区域； 所述遮光区域为常黑显示区域和/或背光黑胶带区域。10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于， 对基于常黑模式的显示基板，所述常黑显示区域中的像素电极和共用电极之间的电压差为零； 对基于常白模式的显示基板，所述常黑显示区域中的像素电极和共用电极之间的电压差达到最大。11.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述边框导电胶为黑色...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：