光致抗蚀剂和光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种光致抗蚀剂以及使用该光致抗蚀剂进行光刻的方法。光致抗蚀剂中含有第一组分和第二组分，并且第一组分和第二组分对光的敏感波段基本不同。通过使用波长为两个敏感波段之一的光对光致抗蚀剂进行曝光，使得第一组分产生第一化学物质，然后使用另一个敏感波段的光对光致抗蚀剂进行均匀照射，使得第二组分产生第二化学物质，从而能够改善在光致抗蚀剂中所形成的第一化学物质的潜像的对比度，由此得到的光刻图案具有更好的边缘粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光致抗蚀剂和使用该光致抗蚀剂的光刻方法，特别涉及一种使用化学 放大作用的光致抗蚀剂和使用该光致抗蚀剂的光刻方法。
技术介绍
微电子产业的飞速发展要求半导体器件的特征尺寸越来越小，器件特征尺寸的减 小一方面依赖于曝光工具，另一方面也与光致抗蚀剂的选择密切相关。因此，与光刻技术相 应的光致抗蚀剂的选择与应用也成为光刻工艺中的一个重要研究内容。光刻技术的进步促进了光致抗蚀剂性能的不断完善。利用化学放大作用的光致抗 蚀剂具有高灵敏度、强的耐干法腐蚀性等优点，有利于半导体后续加工工艺的进行，因此在 半导体工艺领域具有广阔的应用前景。在光刻领域正逐渐受到人们的关注。可以相信，工 艺性能得到更加完善稳定的化学放大光致抗蚀剂将在半导体工业中发挥重要作用。化学放大光致抗蚀剂一般包括三个部分基质树脂、有机溶剂和用于产生化学放 大作用的光致产酸剂(photoacid generator, PAG)。化学放大光致抗蚀剂经曝光或光照 后，PAG吸收能量发生光分解，生成自由酸，发生酸催化反应，使曝光区域的基质树脂发生 保护基团的去除反应或树脂与交联剂之间的交联反应，形成正性或负性潜像，在一定的溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂，包括：基质树脂；用于产生化学放大作用的第一组分，该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像；以及第二组分，该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂，包括基质树脂；用于产生化学放大作用的第一组分，该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像；以及第二组分，该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂，其中，所述第一组分是光致产酸剂，并且所述第一化学物质是光酸；以及所述第二组分是光致产碱剂，并且所述第二化学物质是光碱。3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂，其特征在于，所述光致产酸剂为(4-叔丁基苯基)二苯基锍三氟甲基磺酸酯或三苯基硫三氟甲烷磺酸盐。4.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂，其特征在于，所述光致产碱剂为季铵盐。5.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂，其特征在于，所述光致产酸剂的质量浓度为1% 至 30%。...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍强，顾一鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：