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本发明公开了一种光致抗蚀剂以及使用该光致抗蚀剂进行光刻的方法。光致抗蚀剂中含有第一组分和第二组分,并且第一组分和第二组分对光的敏感波段基本不同。通过使用波长为两个敏感波段之一的光对光致抗蚀剂进行曝光,使得第一组分产生第一化学物质,然后使用另...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种光致抗蚀剂以及使用该光致抗蚀剂进行光刻的方法。光致抗蚀剂中含有第一组分和第二组分,并且第一组分和第二组分对光的敏感波段基本不同。通过使用波长为两个敏感波段之一的光对光致抗蚀剂进行曝光,使得第一组分产生第一化学物质,然后使用另...