薄膜晶体管阵列面板制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器(IXD)是使用最为广泛的平板显示器之一。IXD包括设置有场致电极(field-generating electrode)的两个面板和夹置在两个面板之间的液晶(LC)层。通过向场致电极施加电压以在LC层中产生电场，LCD显示图像，该电场确定LC层中的LC分子的方向，以调节入射光的偏振。包括各个面板上的场致电极的IXD中，多个呈矩阵排列的像素电极设置在面板上，并且设置覆盖另一面板的整个表面的共电极。通过向各个像素电极施加单独的电压完成IXD的图像显示。为了施加单独的电压，将多个三端子薄膜晶体管(TFT)连接至各个像素电极，并且在面板上设置多条栅极线，以传输用于控制TFT的信号，并在该面板上设置多条数据线，以传输向像素电极施加的电压。此外，在面板上还设置多个存储电极，与像素电极重叠以形成储能电容器。通常，需要若干光刻步骤，用于制造IXD面板。由于光刻步骤的增加而导致生产成本增加，所以优选地，减少光刻步骤。为了降低生产成本，使用具有中等厚度部分的光刻胶作为蚀刻掩模，将数据线和半导体层图样化。然而，在这种制造方法中，由于在连接至像素电极的导体下残留有半导体层并且该半导体与存储电极重叠，所以产生屏幕上的闪烁和残留图像，由此降低了 LCD的特性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线；数据线，与栅极线交叉；存储电极，与栅极线和数据线分离；薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线并具有漏电极；像素电极，连接至漏电极；第一绝缘层，覆盖薄膜晶体管并设置在像素电极下；以及第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，并且具有开口，用于露出存储电极上的第一绝缘层。第一绝缘层可由无机材料制成，并且第二绝缘层可由有机材料制成。第二绝缘层可包括滤色器。存储电极可与栅极线相同的层形成，并且接触孔设置在开口中，以连接像素电极和漏电极。薄膜晶体管阵列面板可进一步包括屏蔽电极，其由与像素电极相同的层形成，并且屏蔽电极和像素电极可设置在第一和第二绝缘层上。存储电极可由与屏蔽电极相同的层形成，并且从屏蔽电极伸出。存储电极可与漏电极重叠，其可延伸至数据线，并且可完全覆盖数据线的边界。屏蔽电极至少可与栅极线的部分重叠，并且可延伸至数据线和栅极线。屏蔽电极的宽度可以大于数据线的宽度并小于栅极线的宽度。像素电极可具有切口，并且可包括第一像素电极和与第一像素电极耦合的第二像素电极。薄膜晶体管阵列面板可进一步包括耦合电极，其连接至漏电极并与第二像素电极重叠，其中，耦合电极仅通过第一绝缘层与第二像素电极重叠。本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极绝缘层，位于栅极线上;第一半导体，位于栅极绝缘层上；数据线和漏电极，形成在第一半导体上并彼此分离；存储导体，形成在栅极绝缘层上；第一钝化层，形成在存储导体、数据线和漏电极上；第二钝化层，形成在第一钝化层上并具有开口，用于露出对应于存储导体的第一钝化层；以及像素电极，连接至第二钝化层上的漏电极并通过开口与存储导体重叠。第一钝化层可比第二钝化层薄，并且可包括无机材料，或者第二钝化层可包括有机材料。薄膜晶体管阵列面板可进一步包括第二半导体，其与第一半导体位于同一层并设置在存储导体下。除位于数据线和漏电极之间的部分之外，第一半导体可具有与数据线和漏电极相同的平面形状。第一半导体可由非晶硅制成。薄膜晶体管阵列面板可进一步包括屏蔽电极，其形成在第二钝化层上，并至少与栅极线和数据线的部分重叠。第一和第二钝化层可具有用于露出存储导体的接触孔，并且存储导体通过接触孔连接至屏蔽电极。本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括在绝缘基板上形成栅极线；形成用于覆盖栅极线的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体；在半导体上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成数据线、与数据线分离的漏电极、以及存储导体；形成用于覆盖数据线、漏电极和存储导体的第一钝化层和第二钝化层；蚀刻第一和第二钝化层，以形成用于露出漏电极的接触孔和用于露出对应于存储导体的第一钝化层的接触孔；以及形成像素电极，该像素电极通过接触孔连接至漏电极并通过开口与存储导体重叠。半导体、数据线、漏电极以及存储导体可通过使用光刻胶膜作为蚀刻掩模的光刻法来形成。附图说明通过参照附图详细描述优选实施例，本专利技术的上述和其它优点将变得显而易见，在附图中图1是用于根据本专利技术实施例的IXD的TFT阵列面板的布局图；图2和3是分别沿I1-1I和II1-1II线截取的图1所示TFT阵列面板的截面图；图4是在根据本专利技术实施例的制造方法第一步骤中图1-3所示TFT阵列面板的布局图；图5A和5B是分别沿VA-VA和VB-VB线截取的图4所示TFT阵列面板的截面图；图6A和6B是分别沿VA-VA和VB-VB线截取的图4所示TFT阵列面板的截面图，并示出了图5A和5B所示步骤之后的步骤；图7A和7B是分别沿VA-VA和VB-VB线截取的图4所示TFT阵列面板的截面图，并示出图6A和6B所示步骤之后的步骤；图8是图7A和7B所示步骤之后步骤中的TFT阵列面板的布局图；图9A和9B是分别沿IXA-1XA和IXB-1XB线截取的图8所示TFT阵列面板的截面图；图10是图9A和9B所示步骤之后步骤中的TFT阵列面板的布局图；图1lA和IlB是分别沿XIA-XIA和XIB-XIB线截取的图10所示TFT阵列面板的截面图；图12是根据本专利技术另一实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；图13是根据本专利技术实施例的LCD的共电极面板的布局图；图14是包括图12中所示TFT阵列面板以及图13中所示共电极面板的IXD的布局图；图15是沿XV-XV线截取的图14所示的IXD的截面图；图16是根据本专利技术另一实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；图17是根据本专利技术另一实施例的LCD的共电极面板的布局图；图18是包括图16中所示TFT阵列面板以及图17中所示共电极面板的IXD的布局图；图19和20是沿XIX-XIX和XX-XX线截取的图18所示的IXD的截面图；图21是根据本专利技术另一实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；图22是根据本专利技术另一实施例的LCD的共电极面板的布局图；图23是包括图21中所示TFT阵列面板以及图22中所示共电极面板的IXD的布局图；图24是沿XXIV-XXIV线截取的图23所示的IXD的截面图；图25是根据本专利技术另一实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；图26是根据本专利技术另一实施例的LCD的共电极面板的布局图；图27是包括图25中所示TFT阵列面板以及图26中所示共电极面板的IXD的布局图；图28和29是沿XXVII1-XXVIII和XXIX-XXIX线截取的图27所示LCD的截面图；以及图30是图25-29中所示IXD的等效电路图。具体实施例方式下面，将参照附图更加完全地说明本专利技术，其中，示出了本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可包括在不同形式中并且不应该将本专利技术限制在所述实施例内。在附图中，为了清楚起见，扩大了层、膜、以及区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。应当理解，当提到诸如层、膜、区域、基板或面板的元件“位于”另一个元件上时，是指其直接位于另一个元件上，或者也可能存在介于其间的元件。相反，当某个元件被提到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。

【技术特征摘要】
2005.02.25 KR 10-2005-0015914;2005.04.27 KR 10-201.一种薄膜晶体管阵列面板，其包括 栅极线； 数据线，与所述栅极线交叉； 半导体，布置在所述数据线下方； 薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极； 第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料； 像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极； 屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极完全覆盖所述数据线的边界。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极覆盖至少所述栅极线的一部分。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极包括沿所述栅极线延伸的第二部分。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度小于所述栅极线的宽度。7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度小于所述栅极线的宽度。8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度小于所述栅极线的宽度。10.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度小于所述栅极线的宽度。11.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极包括沿所述栅极线延伸的第二部分。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度。13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度小于所述栅极线的宽度。14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板...

【专利技术属性】
技术研发人员：金彰洙，金湘甲，秦洪基，吴旼锡，崔熙焕，金时烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：