液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种液晶显示装置，可降低顶栅型的薄膜晶体管的断开泄漏电流且可提高显示品质。液晶显示装置具有第一基板，该第一基板形成有与来自栅极线的扫描信号同步地将来自漏极线的图像信号向像素电极输出的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备：栅电极形成于比半导体层更远离第一基板的一侧且漏电极与漏极线连接的第一薄膜晶体管；与第一薄膜晶体管串联连接且源电极与像素电极电连接的第二薄膜晶体管；形成于半导体层与第一基板之间且将从第一基板侧入射的背光遮光的遮光层，所述遮光层从平面看与第一薄膜晶体管重叠形成，将向第一薄膜晶体管侧入射的背光遮断，并且使向第二薄膜晶体管侧入射的背光通过。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示装置，特别是涉及对每个像素形成的顶栅型的薄膜晶体管的 遮光的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置为经由液晶层使形成薄膜晶体管等的第一基板和形成滤色器等的 第二基板相对配置的构成。特别是如图14所示，在使用具有由两个顶栅型的薄膜晶体管 TFTU TFT2构成的双栅构造的薄膜晶体管的现有的液晶显示装置中，在由沿X方向延伸且 在Y方向并行设置的扫描信号线(栅极线)GL和沿Y方向延伸并在X方向并行设置的图像 信号线(漏极线)DL包围的每个区域形成像素电极PX，构成像素的区域。在该栅极线GL和 漏极线DL交叉的区域的附近形成串联连接的两个薄膜晶体管TFT1、TFT2，经由该两个薄膜 晶体管TFT1、TFT2将图像信号从薄膜晶体管TFT2的源电极ST向像素电极PX供给。此时， 由图14所示的K— K’线的剖面图即图15可知，形成两个薄膜晶体管TFT1、TFT2的半导体 层PS为层叠在与由金属薄膜等形成的栅极线GL相比更接近第一基板SUBl的一侧的构成。 因此，提案有为抑制伴随箭头所示的背光BL向半导体层PS入射而产生的光泄漏电流，而形 成用于将背光BL遮断的遮光层。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，具有：第一基板，其上形成有沿X方向延伸且在Y方向并行设置的栅极线、沿Y方向延伸且在X方向并行设置的漏极线、与来自所述栅极线的扫描信号同步地将来自所述漏极线的图像信号向像素电极输出的薄膜晶体管；第二基板，其经由液晶层与所述第一基板相对配置，其特征在于，所述薄膜晶体管由顶栅型的薄膜晶体管构成，该顶栅型的薄膜晶体管将栅电极形成于比半导体层更远离所述第一基板的一侧，所述薄膜晶体管的构成为具备：第一薄膜晶体管，其将漏电极与所述漏极线电连接；第二薄膜晶体管，其与所述第一薄膜晶体管串联连接且其漏电极与所述第一薄膜晶体管的源电极且源电极与所述像素电极电连接；遮光层，其形成于所述半导体层与所述...

【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-2169361.一种液晶显不装置，具有 第一基板，其上形成有沿X方向延伸且在Y方向并行设置的栅极线、沿Y方向延伸且在X方向并行设置的漏极线、与来自所述栅极线的扫描信号同步地将来自所述漏极线的图像信号向像素电极输出的薄膜晶体管； 第二基板，其经由液晶层与所述第一基板相对配置，其特征在于， 所述薄膜晶体管由顶栅型的薄膜晶体管构成，该顶栅型的薄膜晶体管将栅电极形成于比半导体层更远离所述第一基板的一侧， 所述薄膜晶体管的构成为具备 第一薄膜晶体管，其将漏电极与所述漏极线电连接； 第二薄膜晶体管，其与所述第一薄膜晶体管串联连接且其漏电极与所述第一薄膜晶体管的源电极且源电极与所述像素电极电连接； 遮光层，其形成于所述半导体层与所述第一基板之间，将从所述第一基板侧入射的背光遮断， 所述遮光层从平面看与所述第一薄膜晶体管重叠形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：松村和音，佐藤秀夫，笹沼启太，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器东，
类型：发明
国别省市：